Verwandte Artikel zu Modeling and Characterization of RF and Microwave Power...
Modeling and Characterization of RF and Microwave Power FETs Hardback (The Cambridge RF and Microwave Engineering Series) - Hardcover
Inhaltsangabe
This book was the first to be devoted to the compact modeling of RF power FETs. In it, you will find the techniques, verification and validation procedures required to produce a transistor model. The text also contains real-world examples.
Die Inhaltsangabe kann sich auf eine andere Ausgabe dieses Titels beziehen.
Críticas
Review of the hardback: '... a well-written and useful text ... a coherent review of the advanced state of power FET modelling and characterisation.' IEEE Microwave Magazine
Biografía del autor
Peter H. Aaen is the Modeling Group Manager in the RF Division at Freescale Semiconductor, Inc., Tempe Arizona. Jaime A. Pia is the Design Organization Manager in the RF Division at Freescale in the RF Division at Freescale Semiconductor, Inc., Tempe Arizona. John Wood is Senior Technical Contributor responsible for RF CAD and Modeling in the RF Division at Freescale Semiconductor, Inc., Tempe, Arizona. He is a Fellow of the IEEE.
„Über diesen Titel“ kann sich auf eine andere Ausgabe dieses Titels beziehen.
- VerlagCambridge University Press
- Erscheinungsdatum2007
- ISBN 10 0521870666
- ISBN 13 9780521870665
- EinbandTapa dura
- SpracheEnglisch
- Anzahl der Seiten388
Neu kaufen
Diesen Artikel anzeigen
EUR 132,47
EUR 6,18 für den Versand innerhalb von/der USA
Versandziele, Kosten & Dauer
Suchergebnisse für Modeling and Characterization of RF and Microwave Power...
Beispielbild für diese ISBN
Modeling and Characterization of RF and Microwave Power FETs
Verlag:
Cambridge, Cambridge, 2007
ISBN 10: 0521870666
ISBN 13: 9780521870665
Gebraucht
Hardcover
Erstausgabe
Anbieter: Feldman's Books, Menlo Park, CA, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Hardcover. Zustand: Very Fine. First Edition. No markings. Bestandsnummer des Verkäufers 00044259
Anzahl: 1 verfügbar
Beispielbild für diese ISBN
Modeling and Characterization of RF and Microwave Power FETs (The Cambridge RF and Microwave Engineering Series)
Anbieter: BennettBooksLtd, North Las Vegas, NV, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
hardcover. Zustand: New. In shrink wrap. Looks like an interesting title! Bestandsnummer des Verkäufers Q-0521870666
Anzahl: 1 verfügbar
Beispielbild für diese ISBN
Modeling and Characterization of RF and Microwave Power FETs (The Cambridge RF and Microwave Engineering Series)
Anbieter: Lucky's Textbooks, Dallas, TX, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Zustand: New. Bestandsnummer des Verkäufers ABLIING23Feb2416190019447
Anzahl: Mehr als 20 verfügbar
Beispielbild für diese ISBN
Modeling and Characterization of RF and Microwave Power FETs (The Cambridge RF and Microwave Engineering Series)
Anbieter: California Books, Miami, FL, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Zustand: New. Bestandsnummer des Verkäufers I-9780521870665
Anzahl: Mehr als 20 verfügbar
Beispielbild für diese ISBN
Modeling and Characterization of RF and Microwave Power FETs
Print-on-DemandAnbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Hardcover. Zustand: Brand New. 1st edition. 388 pages. 9.75x7.00x1.00 inches. In Stock. This item is printed on demand. Bestandsnummer des Verkäufers __0521870666
Anzahl: 1 verfügbar
Beispielbild für diese ISBN
Modeling and Characterization of RF and Microwave Power FETs (Hardcover)
Verlag:
Cambridge University Press, Cambridge, 2007
ISBN 10: 0521870666
ISBN 13: 9780521870665
Neu
Hardcover
Anbieter: Grand Eagle Retail, Fairfield, OH, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Hardcover. Zustand: new. Hardcover. This book is a comprehensive exposition of FET modeling, and is a must-have resource for seasoned professionals and new graduates in the RF and microwave power amplifier design and modeling community. In it, you will find descriptions of characterization and measurement techniques, analysis methods, and the simulator implementation, model verification and validation procedures that are needed to produce a transistor model that can be used with confidence by the circuit designer. Written by semiconductor industry professionals with many years' device modeling experience in LDMOS and III-V technologies, this was the first book to address the modeling requirements specific to high-power RF transistors. A technology-independent approach is described, addressing thermal effects, scaling issues, nonlinear modeling, and in-package matching networks. These are illustrated using the current market-leading high-power RF technology, LDMOS, as well as with III-V power devices. This book was the first to be devoted to the compact modeling of RF power FETs. In it, you will find the techniques, verification and validation procedures required to produce a transistor model. The text also contains real-world examples. Shipping may be from multiple locations in the US or from the UK, depending on stock availability. Bestandsnummer des Verkäufers 9780521870665
Anzahl: 1 verfügbar
Beispielbild für diese ISBN
Modeling and Characterization of RF and Microwave Power FETs (The Cambridge RF and Microwave Engineering Series)
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Zustand: New. In. Bestandsnummer des Verkäufers ria9780521870665_new
Anzahl: Mehr als 20 verfügbar
Beispielbild für diese ISBN
Modeling and Characterization of RF and Microwave Power FETs
Print-on-DemandAnbieter: THE SAINT BOOKSTORE, Southport, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Hardback. Zustand: New. This item is printed on demand. New copy - Usually dispatched within 5-9 working days 936. Bestandsnummer des Verkäufers C9780521870665
Anzahl: Mehr als 20 verfügbar
Foto des Verkäufers
Modeling and Characterization of RF and Microwave Power FETs
Print-on-DemandAnbieter: moluna, Greven, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Gebunden. Zustand: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. This book was the first to be devoted to the compact modeling of RF power FETs. In it, you will find the techniques, verification and validation procedures required to produce a transistor model. The text also contains real-world examples.Über . Bestandsnummer des Verkäufers 446951506
Anzahl: Mehr als 20 verfügbar
Beispielbild für diese ISBN
Modeling and Characterization of RF and Microwave Power FETs (Hardcover)
Verlag:
Cambridge University Press, Cambridge, 2007
ISBN 10: 0521870666
ISBN 13: 9780521870665
Neu
Hardcover
Anbieter: CitiRetail, Stevenage, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Hardcover. Zustand: new. Hardcover. This book is a comprehensive exposition of FET modeling, and is a must-have resource for seasoned professionals and new graduates in the RF and microwave power amplifier design and modeling community. In it, you will find descriptions of characterization and measurement techniques, analysis methods, and the simulator implementation, model verification and validation procedures that are needed to produce a transistor model that can be used with confidence by the circuit designer. Written by semiconductor industry professionals with many years' device modeling experience in LDMOS and III-V technologies, this was the first book to address the modeling requirements specific to high-power RF transistors. A technology-independent approach is described, addressing thermal effects, scaling issues, nonlinear modeling, and in-package matching networks. These are illustrated using the current market-leading high-power RF technology, LDMOS, as well as with III-V power devices. This book was the first to be devoted to the compact modeling of RF power FETs. In it, you will find the techniques, verification and validation procedures required to produce a transistor model. The text also contains real-world examples. Shipping may be from our UK warehouse or from our Australian or US warehouses, depending on stock availability. Bestandsnummer des Verkäufers 9780521870665
Anzahl: 1 verfügbar