This volume describes the results of current research on the characterization and precisely-controlled building of atomic-scale multilayers of semiconductors. It should enable engineers to achieve great improvements in the performance of microelectronic and optoelectronic devices.
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This volume describes the results of current research on the characterization and precisely-controlled building of atomic-scale multilayers of semiconductors. It should enable engineers to achieve great improvements in the performance of microelectronic and optoelectronic devices.
A finely-structured, state-of-the-art review on controlled building of atomic-scale mutilayers, where nanometric structures based on III-V semiconductors have attracted particular attention.
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