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Book by Michael Manfra
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This book discusses GaN and Related Alloys and reflects an emerging emphasis on the binaries of InN and AlN. The major thrust here is the topical development of thin-film growth, bulk growth techniques, methods to cover the full ternary and quaternary alloy ranges toward InN and AlN and their characterization; strategies for structural defect reduction and their characterization; ways to better control p-type doping and its characterization; device and defect physics, including polarization effects; physics of surfaces and interfaces; and device processing techniques. In addition, advances in MBE devices, high-power electronics, RF performance of electronics, UV emitters, high-efficiency light emitters, photo and chemical sensors, as well as new applications within the group-III nitrides, are also covered. The book captures the current status of this field and will be useful for researchers working with group-III nitrides, as well as for students who seek entry into this subject.
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- VerlagCambridge University Press
- Erscheinungsdatum2005
- ISBN 10 1558997792
- ISBN 13 9781558997790
- EinbandTapa dura
- Anzahl der Seiten784
- HerausgeberWetzel Christian, Gil Bernard, Kuzuhara Masaaki, Manfra Michael
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Gan, Ain, Inn and Their Alloys: Symposium Held November 29-December 3, 2004, Boston, Massachusetts, U.S.A. Materials Research Society Symposium Proceedings Volume 831
Verlag:
Materials Research Society
(2005)
ISBN 10: 1558997792
ISBN 13: 9781558997790
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GaN, AIN, InN and their Alloys: Volume 831 (MRS Proceedings)
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Buchbeschreibung Zustand: Used - Good. 2005. Hardcover. Good. Bestandsnummer des Verkäufers Z0226207
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(2005)
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GaN, AIN, InN and their Alloys: Volume 831 (MRS Proceedings)
Verlag:
Cambridge University Press
(2005)
ISBN 10: 1558997792
ISBN 13: 9781558997790
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Buchbeschreibung hardcover. Zustand: Good. First Edition. This book discusses GaN and Related Alloys and reflects an emerging emphasis on the binaries of InN and AlN The major thrust here is the topical development of thinfilm growth bulk growth techniques methods to cover the full ternary and quaternary alloy ranges toward InN and AlN and their characterization strategies for structural defect reduction and their characterization ways to better control ptype doping and its characterization device and defect physics including polarization effects physics of surfaces and interfaces and device processing techniques In addition advances in MBE devices highpower electronics RF performance of electronics UV emitters highefficiency light emitters photo and chemical sensors as well as new applications within the groupIII nitrides are also covered The book captures the current status of this field and will be useful for researchers working with groupIII nitrides as well as for students who seek entry into this subject. Bestandsnummer des Verkäufers SONG1558997792
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Gan, Ain, Inn And Their Alloys V831 Hb
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