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Hierarchical Device Simulation: The Monte-Carlo Perspective (Computational Microelectronics) - Hardcover

 
9783211013618: Hierarchical Device Simulation: The Monte-Carlo Perspective (Computational Microelectronics)

Inhaltsangabe

This monograph is the first on physics-based simulations of novel strained Si and SiGe devices. It provides an in-depth description of the full-band monte-carlo method for SiGe and discusses the common theoretical background of the drift-diffusion, hydrodynamic and Monte-Carlo models and their synergy.

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This monograph is the first on physics-based simulations of novel strained Si and SiGe devices. It provides an in-depth description of the full-band monte-carlo method for SiGe and discusses the common theoretical background of the drift-diffusion, hydrodynamic and Monte-Carlo models and their synergy.

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ISBN 10:  3709172268 ISBN 13:  9783709172261
Verlag: Springer, 2012
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Jungemann, Christoph/Meinerzhagen, Bernd/Meinzerhagen, Bernd
Verlag: Springer., 2003
ISBN 10: 321101361X ISBN 13: 9783211013618
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2003th ed. 16 x 23 cm. 270 pages. Hardcover. Versand aus Deutschland / We dispatch from Germany via Air Mail. Einband bestoßen, daher Mängelexemplar gestempelt, sonst sehr guter Zustand. Imperfect copy due to slightly bumped cover, apart from this in very good condition. Stamped. Sprache: Englisch. Bestandsnummer des Verkäufers 6615VB

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Christoph Jungemann
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Hardcover. Zustand: new. Hardcover. This monograph is intended for scientists and TCAD engineers who are interested in physics-based simulation of Si and SiGe devices. The common theoretical background of the drift-diffusion, hydrodynamic, and Monte-Carlo models and their synergy are discussed and it is shown how these models form a consistent hierarchy of simulation tools. The basis of this hierarchy is the full-band Monte-Carlo device model which is discussed in detail, including its numerical and stochastic properties. The drift-diffusion and hydrodynamic models for large-signal, small-signal, and noise analysis are derived from the Boltzmann transport equation in such a way that all transport and noise parameters can be obtained by Monte-Carlo simulations. With this hierarchy of simulation tools the device characteristics of strained Si MOSFETs and SiGe HBTs are analysed and the accuracy of the momentum-based models is assessed by comparison with the Monte-Carlo device simulator. Different to many other Monte-Carlo research groups, the Monte-Carlo research in Aachen took place in an environment of active drift-diffusion and hydrodynamic model development. Shipping may be from multiple locations in the US or from the UK, depending on stock availability. Bestandsnummer des Verkäufers 9783211013618

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Bernd Meinerzhagen
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Buch. Zustand: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -This monograph is the first on physics-based simulations of novel strained Si and SiGe devices. It provides an in-depth description of the full-band monte-carlo method for SiGe and discusses the common theoretical background of the drift-diffusion, hydrodynamic and Monte-Carlo models and their synergy. 284 pp. Englisch. Bestandsnummer des Verkäufers 9783211013618

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