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Protonendotierung von Silizium: Untersuchung und Modellierung protoneninduzierter Dotierungsprofile in Silizium - Softcover
Inhaltsangabe
Johannes G. Laven beschreibt die Dotierung von kristallinem Silizium mittels Protonenimplantationen mit Energien im Bereich weniger Megaelektronenvolt. Hiermit können Dotierungsprofile in Tiefen zwischen Mikrometern bis weit über 100 µm erzeugt und modifiziert werden. Das hierzu notwendige, vergleichsweise niedrige thermische Budget macht derartige Dotierungsprofile insbesondere für die Herstellung aktueller Leistungshalbleiterbauelemente interessant. Der Autor führt die Anforderungen und Grenzen der Protonendotierung aus und zeigt ein analytisches Modell zur Berechnung von Protonen-induzierten Dotierstoffprofilen in Abhängigkeit der Implantationsparameter sowie des thermischen Budgets.
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Über die Autorin bzw. den Autor
Johannes G. Laven studierte Physik an der Westfälischen Wilhelms-Universität Münster, ab 2007 forschte er an der Technischen Fakultät der Friedrich-Alexander Universität Erlangen-Nürnberg zum Thema Protonendotierung in kristallinem Silizium. Seit 2011 arbeitet er als Entwicklungsingenieur für IGBTs und Leistungsdioden bei einem führenden Halbleiterhersteller.
Von der hinteren Coverseite
Johannes G. Laven beschreibt die Dotierung von kristallinem Silizium mittels Protonenimplantationen mit Energien im Bereich weniger Megaelektronenvolt. Hiermit können Dotierungsprofile in Tiefen zwischen Mikrometern bis weit über 100 µm erzeugt und modifiziert werden. Das hierzu notwendige, vergleichsweise niedrige thermische Budget macht derartige Dotierungsprofile insbesondere für die Herstellung aktueller Leistungshalbleiterbauelemente interessant. Der Autor führt die Anforderungen und Grenzen der Protonendotierung aus und zeigt ein analytisches Modell zur Berechnung von Protonen-induzierten Dotierstoffprofilen in Abhängigkeit der Implantationsparameter sowie des thermischen Budgets.
Der Inhalt
- Grundlagen der Protonendotierung
- Prozessierung und Charakterisierungsmethoden
- Ladungsträgerprofile und Parameterabhängigkeiten
- Strahlungsinduzierte Störstellen
- Modellierung
Die Zielgruppen
- Dozierende und Studierende der Halbleiter- und Siliziumforschung und der Prozesstechnik
- Hersteller von Halbleiterbauelementen
Der Autor
Johannes G. Laven studierte Physik an der Westfälischen Wilhelms-Universität Münster, ab 2007 forschte er an der Technischen Fakultät der Friedrich-Alexander Universität Erlangen-Nürnberg zum Thema Protonendotierung in kristallinem Silizium. Seit 2011 arbeitet er als Entwicklungsingenieur für IGBTsund Leistungsdioden bei einem führenden Halbleiterhersteller.
„Über diesen Titel“ kann sich auf eine andere Ausgabe dieses Titels beziehen.
- VerlagSpringer Vieweg
- Erscheinungsdatum2014
- ISBN 10 3658073896
- ISBN 13 9783658073893
- EinbandTapa blanda
- SpracheDeutsch
- Anzahl der Seiten332
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Protonendotierung von Silizium | Untersuchung und Modellierung protoneninduzierter Dotierungsprofile in Silizium
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Springer Fachmedien Wiesbaden, 2014
ISBN 10: 3658073896
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Protonendotierung von Silizium | Untersuchung und Modellierung protoneninduzierter Dotierungsprofile in Silizium | Johannes G Laven | Taschenbuch | xvii | Deutsch | 2014 | Springer Fachmedien Wiesbaden | EAN 9783658073893 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Vieweg in Springer Science + Business Media, Abraham-Lincoln-Str. 46, 65189 Wiesbaden, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu. Bestandsnummer des Verkäufers 105044344
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Protonendotierung von Silizium
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Zustand: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Wissenschaftlich-technische StudieEinleitung.- Grundlagen der Protonendotierung.- Durchfuehrung und Charakterisierungsmethoden.- Ladungstraegerprofile und Parameterabhaengigkeiten.- Strahlungsinduzierte Stoerstellen.- Modellierung.- Zusammenfassung und Ausb. Bestandsnummer des Verkäufers 5123629
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Protonendotierung von Silizium : Untersuchung und Modellierung protoneninduzierter Dotierungsprofile in Silizium
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Springer Fachmedien Wiesbaden, 2014
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Johannes G. Laven beschreibt die Dotierung von kristallinem Silizium mittels Protonenimplantationen mit Energien im Bereich weniger Megaelektronenvolt. Hiermit können Dotierungsprofile in Tiefen zwischen Mikrometern bis weit über 100 µm erzeugt und modifiziert werden. Das hierzu notwendige, vergleichsweise niedrige thermische Budget macht derartige Dotierungsprofile insbesondere für die Herstellung aktueller Leistungshalbleiterbauelemente interessant. Der Autor führt die Anforderungen und Grenzen der Protonendotierung aus und zeigt ein analytisches Modell zur Berechnung von Protonen-induzierten Dotierstoffprofilen in Abhängigkeit der Implantationsparameter sowie des thermischen Budgets. Bestandsnummer des Verkäufers 9783658073893
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Protonendotierung von Silizium
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Taschenbuch. Zustand: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Johannes G. Laven beschreibt die Dotierung von kristallinem Silizium mittels Protonenimplantationen mit Energien im Bereich weniger Megaelektronenvolt. Hiermit können Dotierungsprofile in Tiefen zwischen Mikrometern bis weit über 100 µm erzeugt und modifiziert werden. Das hierzu notwendige, vergleichsweise niedrige thermische Budget macht derartige Dotierungsprofile insbesondere für die Herstellung aktueller Leistungshalbleiterbauelemente interessant. Der Autor führt die Anforderungen und Grenzen der Protonendotierung aus und zeigt ein analytisches Modell zur Berechnung von Protonen-induzierten Dotierstoffprofilen in Abhängigkeit der Implantationsparameter sowie des thermischen Budgets. 332 pp. Deutsch. Bestandsnummer des Verkäufers 9783658073893
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Protonendotierung von Silizium
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Neuware -Johannes G. Laven beschreibt die Dotierung von kristallinem Silizium mittels Protonenimplantationen mit Energien im Bereich weniger Megaelektronenvolt. Hiermit können Dotierungsprofile in Tiefen zwischen Mikrometern bis weit über 100 µm erzeugt und modifiziert werden. Das hierzu notwendige, vergleichsweise niedrige thermische Budget macht derartige Dotierungsprofile insbesondere für die Herstellung aktueller Leistungshalbleiterbauelemente interessant. Der Autor führt die Anforderungen und Grenzen der Protonendotierung aus und zeigt ein analytisches Modell zur Berechnung von Protonen-induzierten Dotierstoffprofilen in Abhängigkeit der Implantationsparameter sowie des thermischen Budgets.Springer Vieweg in Springer Science + Business Media, Abraham-Lincoln-Straße 46, 65189 Wiesbaden 332 pp. Deutsch. Bestandsnummer des Verkäufers 9783658073893
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