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An SOI LDMOS For Better Switch Application: Electron Devices - Softcover

Biswas, Arindam; Rafique, Arzoo; Bhattacharjee, Anup Kumar

 
9783659406751: An SOI LDMOS For Better Switch Application: Electron Devices
Softcover
ISBN 10: 3659406759 ISBN 13: 9783659406751
Verlag: LAP LAMBERT Academic Publishing, 2013

Inhaltsangabe

This book is proposed to develop an SOI (Silicon on Insulator) LDMOS in which a drift region of 1-¿m is added to a conventional n-MOS and compare them on various aspects. The drift region utilizes the RESURF effect that is utilized to distribute the electric field into the LDD region. It is found using two dimensional simulations that the addition of a drift region of 1-¿m in LDMOS improves the performance of the device in terms of breakdown-voltage and switching-speed over the conventional MOSFET.

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Über die Autorin bzw. den Autor

Arindam BiswasB.Tech, M.Tech (CU), PhD Submitted (NIT Dgp)Research Interests:Electron Transport, Non Linear Optics, Electron Devices.Publication: Journals and Conferences- 40 Book: 2

„Über diesen Titel“ kann sich auf eine andere Ausgabe dieses Titels beziehen.

Verlag
LAP LAMBERT Academic Publishing
Erscheinungsdatum
2013
Sprache
Englisch
ISBN 10 
3659406759
ISBN 13 
9783659406751
Einband
Taschenbuch
Anzahl der Seiten
84
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Nicht verfügbar
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Verlag Unser Wissen
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