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Role of Annealing on the Interface Engineering in Ge MOS devices: Role of Annealing on the Interface Engineering - Softcover
Inhaltsangabe
High permittivity dielectrics and suitable substrates are studies intensively in the view of their use in VLSI design. However, hafnium oxide (HfO2) is a promising candidate for the next generation of gate dielectrics due to its relatively high dielectric constant 25 , wide bandgap, good thermal stability, and relatively high free energy of reaction with the substrate material. Recently, Ge-based electronic devices have regained considerable attention and Ge can provide solutions to major problems that Si technology is facing for advanced CMOS devices; this is mainly due to the higher mo-bility of both the holes and the electrons in Ge substrate. Hence this book is useful for the readers to knew some significant issue on Ge technology for high frequency devices.
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Über die Autorin bzw. den Autor
T.V.Rajesh, Deakin Universität, Australien. Er hat zwei internationale Arbeiten veröffentlicht. Dr.S.V.Jagadeesh Chandra, Professor für LBRCE, Mylavaram. Er hat 1 Buch und 35 wissenschaftliche Artikel in Fachzeitschriften veröffentlicht. Dr. CH.V.V.Ramana, Außerordentlicher Professor am CECC, Chirala. Er hat 4 Bücher, 1 Buchkapitel und 40 wissenschaftliche Artikel in Fachzeitschriften veröffentlicht.
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Role of Annealing on the Interface Engineering in Ge MOS devices
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LAP LAMBERT Academic Publishing Jan 2017, 2017
ISBN 10: 3659684856
ISBN 13: 9783659684852
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Taschenbuch. Zustand: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -High permittivity dielectrics and suitable substrates are studies intensively in the view of their use in VLSI design. However, hafnium oxide (HfO2) is a promising candidate for the next generation of gate dielectrics due to its relatively high dielectric constant 25 , wide bandgap, good thermal stability, and relatively high free energy of reaction with the substrate material. Recently, Ge-based electronic devices have regained considerable attention and Ge can provide solutions to major problems that Si technology is facing for advanced CMOS devices; this is mainly due to the higher mo-bility of both the holes and the electrons in Ge substrate. Hence this book is useful for the readers to knew some significant issue on Ge technology for high frequency devices. 76 pp. Englisch. Bestandsnummer des Verkäufers 9783659684852
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Role of Annealing on the Interface Engineering in Ge MOS devices: Role of Annealing on the Interface Engineering
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Zustand: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Autor/Autorin: T. V. RajeshT.V.Rajesh, Deakin University, Australia. He published two International papers. Dr.S.V.Jagadeesh Chandra, Professor of LBRCE, Mylavaram. He published 1 book and 35 scientific articles in referred journals. Dr. CH.V.V.Ram. Bestandsnummer des Verkäufers 159143660
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Taschenbuch. Zustand: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -High permittivity dielectrics and suitable substrates are studies intensively in the view of their use in VLSI design. However, hafnium oxide (HfO2) is a promising candidate for the next generation of gate dielectrics due to its relatively high dielectric constant 25 , wide bandgap, good thermal stability, and relatively high free energy of reaction with the substrate material. Recently, Ge-based electronic devices have regained considerable attention and Ge can provide solutions to major problems that Si technology is facing for advanced CMOS devices; this is mainly due to the higher mo-bility of both the holes and the electrons in Ge substrate. Hence this book is useful for the readers to knew some significant issue on Ge technology for high frequency devices.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 76 pp. Englisch. Bestandsnummer des Verkäufers 9783659684852
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Taschenbuch. Zustand: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - High permittivity dielectrics and suitable substrates are studies intensively in the view of their use in VLSI design. However, hafnium oxide (HfO2) is a promising candidate for the next generation of gate dielectrics due to its relatively high dielectric constant 25 , wide bandgap, good thermal stability, and relatively high free energy of reaction with the substrate material. Recently, Ge-based electronic devices have regained considerable attention and Ge can provide solutions to major problems that Si technology is facing for advanced CMOS devices; this is mainly due to the higher mo-bility of both the holes and the electrons in Ge substrate. Hence this book is useful for the readers to knew some significant issue on Ge technology for high frequency devices. Bestandsnummer des Verkäufers 9783659684852
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Role of Annealing on the Interface Engineering in Ge MOS devices | Role of Annealing on the Interface Engineering | Rajesh T. V. (u. a.) | Taschenbuch | 76 S. | Englisch | 2017 | LAP LAMBERT Academic Publishing | EAN 9783659684852 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 49078 Osnabrück, mail[at]preigu[dot]de | Anbieter: preigu. Bestandsnummer des Verkäufers 108308730
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