Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs (Computational Microelectronics) - Hardcover

Buch 3 von 17: Computational Microelectronics

Sverdlov, Viktor

 
9783709103814: Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs (Computational Microelectronics)
Hardcover
ISBN 10: 3709103819 ISBN 13: 9783709103814
Verlag: Springer, 2010

Inhaltsangabe

Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.

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Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given

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Verlag
Springer
Erscheinungsdatum
2010
Sprache
Englisch
ISBN 10 
3709103819
ISBN 13 
9783709103814
Einband
Gebundene Ausgabe
Anzahl der Seiten
266
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ProductSafety@springernature.com
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Deutschland

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