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AlGaN/GaN-HEMT Power Amplifiers with Optimized Power-Added Efficiency for X-Band Applications: Dissertationsschrift (Karlsruher Forschungsberichte aus ... für Hochfrequenztechnik und Elektronik) - Softcover

Kühn, Jutta

 
9783866446151: AlGaN/GaN-HEMT Power Amplifiers with Optimized Power-Added Efficiency for X-Band Applications: Dissertationsschrift (Karlsruher Forschungsberichte aus ... für Hochfrequenztechnik und Elektronik)
Softcover
ISBN 10: 3866446152 ISBN 13: 9783866446151
Verlag: KIT Scientific Publishing, 2012

Inhaltsangabe

This work has arisen out of the strong demand for a superior power-added efficiency (PAE) of AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) high-power amplifiers (HPAs) that are part of any advanced wireless multifunctional RF-system with limited prime energy. Different concepts and approaches on device and design level for PAE improvements are analyzed, e.g. structural and layout changes of the GaN transistor and advanced circuit design techniques for PAE improvements of GaN HEMT HPAs.

Die Inhaltsangabe kann sich auf eine andere Ausgabe dieses Titels beziehen.

Verlag
KIT Scientific Publishing
Erscheinungsdatum
2012
Sprache
Englisch
ISBN 10 
3866446152
ISBN 13 
9783866446151
Einband
Taschenbuch
Anzahl der Seiten
262
Kontakt zum Hersteller
Nicht verfügbar
Verantwortliche Person
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Deutschland