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AlGaN/GaN-HEMT Power Amplifiers with Optimized Power-Added Efficiency for X-Band Applications - Softcover
Inhaltsangabe
This work has arisen out of the strong demand for a superior power-added efficiency (PAE) of AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) high-power amplifiers (HPAs) that are part of any advanced wireless multifunctional RF-system with limited prime energy. Different concepts and approaches on device and design level for PAE improvements are analyzed, e.g. structural and layout changes of the GaN transistor and advanced circuit design techniques for PAE improvements of GaN HEMT HPAs.
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Reseña del editor
This work has arisen out of the strong demand for a superior power-added efficiency (PAE) of AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) high-power amplifiers (HPAs) that are part of any advanced wireless multifunctional RF-system with limited prime energy. Different concepts and approaches on device and design level for PAE improvements are analyzed, e.g. structural and layout changes of the GaN transistor and advanced circuit design techniques for PAE improvements of GaN HEMT HPAs.
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- VerlagKIT Scientific Publishing
- Erscheinungsdatum2012
- ISBN 10 3866446152
- ISBN 13 9783866446151
- EinbandTapa blanda
- SpracheEnglisch
- Anzahl der Seiten262
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AlGaN/GaN-HEMT power amplifiers with optimized power-added efficiency for X-band applications
Verlag:
Karlsruher Institut Für Technologie Jun 2011, 2011
ISBN 10: 3866446152
ISBN 13: 9783866446151
Neu
Taschenbuch
Anbieter: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Deutschland
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Taschenbuch. Zustand: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -This work has arisen out of the strong demand for a superior power-added efficiency (PAE) of AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) high-power amplifiers (HPAs) that are part of any advanced wireless multifunctional RF-system with limited prime energy. Different concepts and approaches on device and design level for PAE improvements are analyzed, e.g. structural and layout changes of the GaN transistor and advanced circuit design techniques for PAE improvements of GaN HEMT HPAs. 262 pp. Englisch. Bestandsnummer des Verkäufers 9783866446151
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AlGaN/GaN-HEMT power amplifiers with optimized power-added efficiency for X-band applications
Verlag:
Karlsruher Institut für Technologie, 2014
ISBN 10: 3866446152
ISBN 13: 9783866446151
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Taschenbuch
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Taschenbuch. Zustand: Neu. AlGaN/GaN-HEMT power amplifiers with optimized power-added efficiency for X-band applications | Jutta Kühn | Taschenbuch | 262 S. | Englisch | 2014 | Karlsruher Institut für Technologie | EAN 9783866446151 | Verantwortliche Person für die EU: KIT Scientific Publishing, Straße am Forum 2, 76131 Karlsruhe, info[at]ksp[dot]kit[dot]edu | Anbieter: preigu. Bestandsnummer des Verkäufers 105170314
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AlGaN/GaN-HEMT power amplifiers with optimized power-added efficiency for X-band applications
Verlag:
Karlsruher Institut Für Technologie, 2012
ISBN 10: 3866446152
ISBN 13: 9783866446151
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Taschenbuch
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This work has arisen out of the strong demand for a superior power-added efficiency (PAE) of AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) high-power amplifiers (HPAs) that are part of any advanced wireless multifunctional RF-system with limited prime energy. Different concepts and approaches on device and design level for PAE improvements are analyzed, e.g. structural and layout changes of the GaN transistor and advanced circuit design techniques for PAE improvements of GaN HEMT HPAs. Bestandsnummer des Verkäufers 9783866446151
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AlGaN/GaN-HEMT Power Amplifiers with Optimized Power-Added Efficiency for X-Band Applications
Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
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Paperback. Zustand: Brand New. 262 pages. 8.27x5.83x0.62 inches. In Stock. Bestandsnummer des Verkäufers 3866446152
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