Verwandte Artikel zu Introduction to Junctionless Double Gate MOSFET
Inhaltsangabe
The field effect transistors (FETs) fabricated in integrated circuits are majorly with junctions. Due to the device scaling down, the fabrication of these junctions has become gradually more difficult. Also, there is a stringent necessity for having high doping concentration gradient for the smooth functioning of the device. Recently, researchers are focusing on new devices where devices are junction less and no doping gradient requirement. One such structure is the junctionless double gate MOSFET (JL-DG MOSFET) which has shown improved performance against short channel effect, namely drain induced barrier lowering (DIBL), changes in threshold voltage etc.
Die Inhaltsangabe kann sich auf eine andere Ausgabe dieses Titels beziehen.
Neu kaufen
Diesen Artikel anzeigen
EUR 34,25
Gratis für den Versand innerhalb von/der Deutschland
Versandziele, Kosten & DauerSuchergebnisse für Introduction to Junctionless Double Gate MOSFET
Foto des Verkäufers
Introduction to Junctionless Double Gate MOSFET
Verlag:
LAP LAMBERT Academic Publishing, 2019
ISBN 10: 6139462487
ISBN 13: 9786139462483
Neu
Softcover
Anbieter: moluna, Greven, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Zustand: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Autor/Autorin: Dhiman GauravGaurav Dhiman was born in Pathankot, India, in1981. He received the B.Tech. degree in Electronics and Communicationengineering from the Punjab Technical University, Jalandhar, India, in 2003,and the M.Tech. and Ph.D. deg. Bestandsnummer des Verkäufers 285393545
Anzahl: Mehr als 20 verfügbar
Foto des Verkäufers
Introduction to Junctionless Double Gate MOSFET
Verlag:
LAP LAMBERT Academic Publishing Mär 2019, 2019
ISBN 10: 6139462487
ISBN 13: 9786139462483
Neu
Taschenbuch
Anbieter: buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Taschenbuch. Zustand: Neu. Neuware -The field effect transistors (FETs) fabricated in integrated circuits are majorly with junctions. Due to the device scaling down, the fabrication of these junctions has become gradually more difficult. Also, there is a stringent necessity for having high doping concentration gradient for the smooth functioning of the device. Recently, researchers are focusing on new devices where devices are junction less and no doping gradient requirement. One such structure is the junctionless double gate MOSFET (JL-DG MOSFET) which has shown improved performance against short channel effect, namely drain induced barrier lowering (DIBL), changes in threshold voltage etc.Books on Demand GmbH, Überseering 33, 22297 Hamburg 60 pp. Englisch. Bestandsnummer des Verkäufers 9786139462483
Anzahl: 2 verfügbar
Foto des Verkäufers
Introduction to Junctionless Double Gate MOSFET
Verlag:
LAP LAMBERT Academic Publishing Mrz 2019, 2019
ISBN 10: 6139462487
ISBN 13: 9786139462483
Neu
Taschenbuch
Anbieter: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Taschenbuch. Zustand: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -The field effect transistors (FETs) fabricated in integrated circuits are majorly with junctions. Due to the device scaling down, the fabrication of these junctions has become gradually more difficult. Also, there is a stringent necessity for having high doping concentration gradient for the smooth functioning of the device. Recently, researchers are focusing on new devices where devices are junction less and no doping gradient requirement. One such structure is the junctionless double gate MOSFET (JL-DG MOSFET) which has shown improved performance against short channel effect, namely drain induced barrier lowering (DIBL), changes in threshold voltage etc. 60 pp. Englisch. Bestandsnummer des Verkäufers 9786139462483
Anzahl: 2 verfügbar
Foto des Verkäufers
Introduction to Junctionless Double Gate MOSFET
Verlag:
LAP LAMBERT Academic Publishing, 2019
ISBN 10: 6139462487
ISBN 13: 9786139462483
Neu
Taschenbuch
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Taschenbuch. Zustand: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - The field effect transistors (FETs) fabricated in integrated circuits are majorly with junctions. Due to the device scaling down, the fabrication of these junctions has become gradually more difficult. Also, there is a stringent necessity for having high doping concentration gradient for the smooth functioning of the device. Recently, researchers are focusing on new devices where devices are junction less and no doping gradient requirement. One such structure is the junctionless double gate MOSFET (JL-DG MOSFET) which has shown improved performance against short channel effect, namely drain induced barrier lowering (DIBL), changes in threshold voltage etc. Bestandsnummer des Verkäufers 9786139462483
Anzahl: 1 verfügbar
Beispielbild für diese ISBN
Introduction to Junctionless Double Gate MOSFET
Verlag:
LAP LAMBERT Academic Publishing, 2019
ISBN 10: 6139462487
ISBN 13: 9786139462483
Neu
Softcover
Anbieter: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Zustand: New. PRINT ON DEMAND. Bestandsnummer des Verkäufers 18397281162
Anzahl: 4 verfügbar
Beispielbild für diese ISBN
Introduction to Junctionless Double Gate MOSFET
Verlag:
LAP LAMBERT Academic Publishing, 2019
ISBN 10: 6139462487
ISBN 13: 9786139462483
Neu
Softcover
Anbieter: Books Puddle, New York, NY, USA
Verkäuferbewertung 4 von 5 Sternen
Zustand: New. Bestandsnummer des Verkäufers 26397281152
Anzahl: 4 verfügbar
Beispielbild für diese ISBN
Introduction to Junctionless Double Gate MOSFET
Verlag:
LAP LAMBERT Academic Publishing, 2019
ISBN 10: 6139462487
ISBN 13: 9786139462483
Neu
Softcover
Anbieter: Majestic Books, Hounslow, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Zustand: New. Print on Demand. Bestandsnummer des Verkäufers 400144479
Anzahl: 4 verfügbar
Beispielbild für diese ISBN
Introduction to Junctionless Double Gate MOSFET
Verlag:
LAP LAMBERT Academic Publishing, 2019
ISBN 10: 6139462487
ISBN 13: 9786139462483
Neu
Paperback
Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Paperback. Zustand: Brand New. 60 pages. 8.66x5.91x0.14 inches. In Stock. Bestandsnummer des Verkäufers zk6139462487
Anzahl: 1 verfügbar