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OPTIMIERUNG DES THERMISCH BEWUSSTEN MEHRSTUFIGEN ROUTING FÜR 3D IC: VLSI-PHYSIKALISCHER ENTWURF - Softcover
Inhaltsangabe
Die Very Large Scale Integration (VLSI) ist ein Verfahren zur Herstellung eines integrierten Schaltkreises, bei dem eine große Anzahl von Transistoren auf einem einzigen Chip zusammengefügt wird. Ein 3D-IC wirkt sich sowohl auf die Ausführung als auch auf die Kabellänge in einem Stromversorgungssystem positiv aus. Ein dreidimensionaler integrierter Schaltkreis wird zu einem Entwicklungsprozess, bei dem Verbindungsverzögerungen und Stromverbrauch reduziert werden. Die verschiedenen Schichten des 3D-IC, die miteinander verbunden sind, können durch die Verwendung der Silizium-Via-Methode hergestellt werden. Sie bietet aufgrund der geringeren Länge und des geringeren Stromverbrauchs eine bessere Leistung als der herkömmliche Ansatz. Ein Testzugriffsverfahren ist aufgrund der Auswirkungen der sinkenden Routingkosten von Bedeutung. Wenn eine große Anzahl von TSVs verwendet wird, führt dies zu einem höheren Flächenverbrauch und erhöht die endgültigen Chipkosten. Die ungleichmäßige Verteilung der TSV wird durch das Bonding-Stratum-Verfahren verursacht. Dies wirkt sich nicht nur auf die Fläche, sondern auch auf die Drahtlänge und die Temperatur aus. In der Routing-Phase könnten die Siliziumdurchkontaktierungen durch die Identifizierung von Leerräumen im integrierten Schaltkreissystem erfolgen.
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Über die Autorin bzw. den Autor
Le Dr K. PANDIARAJ est né en mai 1985 à Muhavoor, Tamil Nadu, en Inde. Il a obtenu un B.E. en ingénierie de l'électronique et de la communication à l'Université Anna de Chennai en 2006, un M.Tech en conception VLSI à l'Université Anna de Chennai en 2008 et un doctorat à l'Académie de recherche et d'éducation Kalasalingam de Krishnankoil en 2021.
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OPTIMIERUNG DES THERMISCH BEWUSSTEN MEHRSTUFIGEN ROUTING FÜR 3D IC
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Verlag Unser Wissen Apr 2022, 2022
ISBN 10: 6204612611
ISBN 13: 9786204612614
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Anbieter: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Deutschland
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Taschenbuch. Zustand: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Die Very Large Scale Integration (VLSI) ist ein Verfahren zur Herstellung eines integrierten Schaltkreises, bei dem eine große Anzahl von Transistoren auf einem einzigen Chip zusammengefügt wird. Ein 3D-IC wirkt sich sowohl auf die Ausführung als auch auf die Kabellänge in einem Stromversorgungssystem positiv aus. Ein dreidimensionaler integrierter Schaltkreis wird zu einem Entwicklungsprozess, bei dem Verbindungsverzögerungen und Stromverbrauch reduziert werden. Die verschiedenen Schichten des 3D-IC, die miteinander verbunden sind, können durch die Verwendung der Silizium-Via-Methode hergestellt werden. Sie bietet aufgrund der geringeren Länge und des geringeren Stromverbrauchs eine bessere Leistung als der herkömmliche Ansatz. Ein Testzugriffsverfahren ist aufgrund der Auswirkungen der sinkenden Routingkosten von Bedeutung. Wenn eine große Anzahl von TSVs verwendet wird, führt dies zu einem höheren Flächenverbrauch und erhöht die endgültigen Chipkosten. Die ungleichmäßige Verteilung der TSV wird durch das Bonding-Stratum-Verfahren verursacht. Dies wirkt sich nicht nur auf die Fläche, sondern auch auf die Drahtlänge und die Temperatur aus. In der Routing-Phase könnten die Siliziumdurchkontaktierungen durch die Identifizierung von Leerräumen im integrierten Schaltkreissystem erfolgen. 212 pp. Deutsch. Bestandsnummer des Verkäufers 9786204612614
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Verlag Unser Wissen Apr 2022, 2022
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ISBN 13: 9786204612614
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Taschenbuch. Zustand: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Die Very Large Scale Integration (VLSI) ist ein Verfahren zur Herstellung eines integrierten Schaltkreises, bei dem eine große Anzahl von Transistoren auf einem einzigen Chip zusammengefügt wird. Ein 3D-IC wirkt sich sowohl auf die Ausführung als auch auf die Kabellänge in einem Stromversorgungssystem positiv aus. Ein dreidimensionaler integrierter Schaltkreis wird zu einem Entwicklungsprozess, bei dem Verbindungsverzögerungen und Stromverbrauch reduziert werden. Die verschiedenen Schichten des 3D-IC, die miteinander verbunden sind, können durch die Verwendung der Silizium-Via-Methode hergestellt werden. Sie bietet aufgrund der geringeren Länge und des geringeren Stromverbrauchs eine bessere Leistung als der herkömmliche Ansatz. Ein Testzugriffsverfahren ist aufgrund der Auswirkungen der sinkenden Routingkosten von Bedeutung. Wenn eine große Anzahl von TSVs verwendet wird, führt dies zu einem höheren Flächenverbrauch und erhöht die endgültigen Chipkosten. Die ungleichmäßige Verteilung der TSV wird durch das Bonding-Stratum-Verfahren verursacht. Dies wirkt sich nicht nur auf die Fläche, sondern auch auf die Drahtlänge und die Temperatur aus. In der Routing-Phase könnten die Siliziumdurchkontaktierungen durch die Identifizierung von Leerräumen im integrierten Schaltkreissystem erfolgen.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 212 pp. Deutsch. Bestandsnummer des Verkäufers 9786204612614
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Taschenbuch. Zustand: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - Die Very Large Scale Integration (VLSI) ist ein Verfahren zur Herstellung eines integrierten Schaltkreises, bei dem eine große Anzahl von Transistoren auf einem einzigen Chip zusammengefügt wird. Ein 3D-IC wirkt sich sowohl auf die Ausführung als auch auf die Kabellänge in einem Stromversorgungssystem positiv aus. Ein dreidimensionaler integrierter Schaltkreis wird zu einem Entwicklungsprozess, bei dem Verbindungsverzögerungen und Stromverbrauch reduziert werden. Die verschiedenen Schichten des 3D-IC, die miteinander verbunden sind, können durch die Verwendung der Silizium-Via-Methode hergestellt werden. Sie bietet aufgrund der geringeren Länge und des geringeren Stromverbrauchs eine bessere Leistung als der herkömmliche Ansatz. Ein Testzugriffsverfahren ist aufgrund der Auswirkungen der sinkenden Routingkosten von Bedeutung. Wenn eine große Anzahl von TSVs verwendet wird, führt dies zu einem höheren Flächenverbrauch und erhöht die endgültigen Chipkosten. Die ungleichmäßige Verteilung der TSV wird durch das Bonding-Stratum-Verfahren verursacht. Dies wirkt sich nicht nur auf die Fläche, sondern auch auf die Drahtlänge und die Temperatur aus. In der Routing-Phase könnten die Siliziumdurchkontaktierungen durch die Identifizierung von Leerräumen im integrierten Schaltkreissystem erfolgen. Bestandsnummer des Verkäufers 9786204612614
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Taschenbuch. Zustand: Neu. OPTIMIERUNG DES THERMISCH BEWUSSTEN MEHRSTUFIGEN ROUTING FÜR 3D IC | VLSI-PHYSIKALISCHER ENTWURF | Pandiaraj K | Taschenbuch | 212 S. | Deutsch | 2022 | Verlag Unser Wissen | EAN 9786204612614 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 49078 Osnabrück, mail[at]preigu[dot]de | Anbieter: preigu. Bestandsnummer des Verkäufers 121412597
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