CMOS SRAM Conception et analyse d'une cellule SRAM à faible fuite et à grande vitesse - Softcover

Gupta, Rohin; Gill, S. S.; Kaur, Navneet

Softcover

ISBN 10: 6208332001 ISBN 13: 9786208332006

Verlag: Editions Notre Savoir, 2024

Inhaltsangabe

Ce travail présente une nouvelle cellule SRAM 5T et 6T à extrémité unique. Ce transistor est une cellule à haute densité ou prend moins de place qu'une cellule SRAM 6T conventionnelle. Le courant de fuite de cette cellule est très faible par rapport aux autres cellules 5T ou 6T conventionnelles. Un circuit de précharge est nécessaire pour cette cellule, comme c'est le cas pour la cellule SRAM 6T conventionnelle. Cette cellule est également économe en énergie. Les résultats montrent également que les données stockées dans cette cellule sont très stables. Il est toujours possible d'améliorer tout type de circuit ou d'application. La configuration proposée peut être améliorée à l'aide de diverses techniques. Nous pouvons modifier le rapport d'aspect de la cellule pour obtenir de meilleurs résultats. Nous pouvons appliquer le gating d'horloge pour un circuit économe en énergie. Nous pouvons améliorer le circuit périphérique pour de meilleures performances.

Über diesen Titel

Über die Autorin bzw. den Autor

Rohin Gupta es investigador en GNDEC, Ludhiana y presidente de Brainiac Solutions firm. El profesor Sandeep Singh Gill es catedrático y director del Departamento de ECE de GNDEC, Ludhiana. Navneet Kaur trabaja como profesora asistente en GNDEC, Ludhiana.

Details zur Ausgabe

• Verlag: Editions Notre Savoir
• Erscheinungsdatum: 2024
• Sprache: Französisch
• ISBN 10: 6208332001
• ISBN 13: 9786208332006
• Einband: Taschenbuch
• Anzahl der Seiten: 88
• Kontakt zum Hersteller: Nicht verfügbar
• Verantwortliche Person: preigu; mail@preigu.de; ; Lengericher Landstr. 19; Osnabrück; 49078; Deutschland