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Inhaltsangabe
La croissance d'un semi-conducteur sur un autre, connue sous le nom de processus d'hétéroépitaxie, a permis la production d'une large gamme de dispositifs dits hétéroépitaxiés, tels que les diodes électroluminescentes à haute luminosité, les lasers et les transistors à haute fréquence. Le développement de dispositifs utilisant d'autres matériaux est basé sur le choix du substrat et est représenté par la combinaison couche épitaxiale/substrat. Cette combinaison, qui utilise le processus de croissance, nécessite la réalisation d'un maximum de compatibilité chimique et cristallographique dans laquelle l'orientation cristallographique de la couche est exactement déterminée par le cristal du substrat. La structure de surface du cristal de substrat peut avoir un effet important sur les propriétés du cristal épitaxié. Par ailleurs, l'homoépitaxie est un autre processus qui diffère de l'hétéroépitaxie, si le substrat et la couche ont la même composition chimique, on parle d'homoépitaxie, comme GaAs/GaAs, et on parle d'hétéroépitaxie, si la couche/le substrat ont une composition chimique différente, comme InP/GaAs. Ces matériaux sont utilisés pour produire des diodes électroluminescentes de haute qualité et des transistors à haute mobilité.
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Croissance et caractrisation des cristaux (Paperback)
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Paperback. Zustand: new. Paperback. La croissance d'un semi-conducteur sur un autre, connue sous le nom de processus d'heteroepitaxie, a permis la production d'une large gamme de dispositifs dits heteroepitaxies, tels que les diodes electroluminescentes a haute luminosite, les lasers et les transistors a haute frequence. Le developpement de dispositifs utilisant d'autres materiaux est base sur le choix du substrat et est represente par la combinaison couche epitaxiale/substrat. Cette combinaison, qui utilise le processus de croissance, necessite la realisation d'un maximum de compatibilite chimique et cristallographique dans laquelle l'orientation cristallographique de la couche est exactement determinee par le cristal du substrat. La structure de surface du cristal de substrat peut avoir un effet important sur les proprietes du cristal epitaxie. Par ailleurs, l'homoepitaxie est un autre processus qui differe de l'heteroepitaxie, si le substrat et la couche ont la meme composition chimique, on parle d'homoepitaxie, comme GaAs/GaAs, et on parle d'heteroepitaxie, si la couche/le substrat ont une composition chimique differente, comme InP/GaAs. Ces materiaux sont utilises pour produire des diodes electroluminescentes de haute qualite et des transistors a haute mobilite. Shipping may be from multiple locations in the US or from the UK, depending on stock availability. Bestandsnummer des Verkäufers 9786208597917
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Croissance et caract?risation des cristaux
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Croissance et caract?risation des cristaux
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Croissance et caract?risation des cristaux (French Edition)
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Croissance et caractrisation des cristaux (Paperback)
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