Al(Ga)N: The Future of High-Frequency and High-Power Electronics

Sprache: Englisch

Verlag: Tredition, Tredition Jul 2024, 2024

3384277996 / 9783384277992

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This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Al(Ga)N, a revolutionary material alloying aluminum nitride and gallium nitride, is poised to reshape the electronics landscape. Its exceptional properties, including a remarkably wide bandgap, high voltage tolerance, and superior thermal management, make it ideal for applications demanding both high power and high frequency.This article explores how Al(Ga)N surpasses traditional materials like silicon, enabling significant advancements in power electronics and radio frequency (RF) devices. We'll delve into how Al(Ga)N paves the way for efficient power conversion in next-generation systems, along with high-frequency applications in radar, communications, and wireless technology.tredition, Heinz-Beusen-Stieg 5, 22926 Ahrensburg 160 pp. Englisch.

Bestandsnummer des Verkäufers 9783384277992

Titel
Al(Ga)N: The Future of High-Frequency and High-Power Electronics
Autor
Sheena
Verlag
Tredition, Tredition Jul 2024
Erscheinungsjahr
2024
Zustand
Neu
Einband
Taschenbuch
Sprache
Englisch
ISBN-10
3384277996
ISBN-13
9783384277992
Artikelgewicht
282 Gramm
Abmessungen
234x155x12 mm

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