Analysis and Design of MOSFETs

Sprache: Englisch

Verlag: Springer US Sep 1998, 1998

0412146010 / 9780412146015

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This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Analysis and Design of MOSFETs: Modeling, Simulation, and Parameter Extraction is the first book devoted entirely to a broad spectrum of analysis and design issues related to the semiconductor device called metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET). These issues include MOSFET device physics, modeling, numerical simulation, and parameter extraction. The discussion of the application of device simulation to the extraction of MOSFET parameters, such as the threshold voltage, effective channel lengths, and series resistances, is of particular interest to all readers and provides a valuable learning and reference tool for students, researchers and engineers. Analysis and Design of MOSFETs: Modeling, Simulation, and Parameter Extraction, extensively referenced, and containing more than 180 illustrations, is an innovative and integral new book on MOSFETs design technology. 372 pp. Englisch.

Bestandsnummer des Verkäufers 9780412146015

Titel
Analysis and Design of MOSFETs
Autor
Juin Jei Liou
Verlag
Springer US Sep 1998
Erscheinungsjahr
1998
Zustand
Neu
Einband
Buch
Sprache
Englisch
ISBN-10
0412146010
ISBN-13
9780412146015
Artikelgewicht
723 Gramm
Abmessungen
241x160x25 mm

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