Applications of Silicon-Germanium Heterostructure Devices

Sprache: Englisch

Verlag: CRC Press, 2001

0750307234 / 9780750307239

Serie: Buch 3 von 67 - Series in Optics and Optoelectronics

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Zustandsbeschreibung: bumped. Deals with the design and optimization of transistors made from strained layers. This book covers key technology issues for the growth of strained layers, background theory of the HBT, and how device simulation can be used to predict the optimum HBT device structure for a particular application such as cryogenics. - The book deals with the design and optimization of transistors made from strained layers, Applications of Silicon-Germanium Heterostructure Devices combines three distinct topics-technology, device design and simulation, and applications-in a comprehensive way. Important aspects of the book include key technology issues for the growth of strained layers, background theory of the HBT, how device simulation can be used to predict the optimum HBT device structure for a particular application such as cryogenics, compact SiGe-HBT models for RF applications and the SPICE parameter extraction, and strategies for the enhancement of the high-frequency performance of heterojunction field effect transistors (HFETs) using MOSFET or MODFET structures. The book also covers the design and application of optoelectronic devices and assesses how SiGe technology competes with other alternative technologies in the RF wireless communications marketplace. XI,401 Seiten mit zahlreichen Tab. und Abb., gebunden (Series in Optics and Optoelectronics/IOP Institute of Physics Publishing 2001). Gewicht: 850 g - Gebunden/Gebundene Ausgabe.

Bestandsnummer des Verkäufers 378112

Titel
Applications of Silicon-Germanium Heterostructure Devices
Autor
Maiti, C. K./G. A. Armstrong
Verlag
CRC Press
Veröffentlichungsjahr
2001
Zustand
Sehr Gut
Einband
Hardcover
Sprache
Englisch
ISBN-10
0750307234
ISBN-13
9780750307239
Artikelgewicht
850 Gramm
Serie
Buch 3 von 67: Series in Optics and Optoelectronics
Verkäuferkataloge
Naturwissenschaft und Technik

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