Atomic Scale Characterization and First-Principles Studies of Si¿N¿ Interfaces

Sprache: Englisch

Verlag: Springer, 2011

144197816X / 9781441978165

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Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This thesis presents results from a combined atomic-resolution Z-contrast and annular bright-field imaging and electron energy loss spectroscopy in the Scanning Transmission Electron Microscopy, as well as first principles studies of the interfaces between crystalline beta-Si3N4 and amorphous (i) CeO2-x as well as (ii) SiO2 intergranular film (IGF). These interfaces are of a great fundamental and technological interest because they play an important role in the microstructural evolution and mechanical properties of Si3N4 ceramics used in many high temperature and pressure applications. The main contribution of this work is its detailed description of the bonding characteristics of light atoms, in particular oxygen and nitrogen, at these interfaces, which has not been achieved before. The atomic-scale information on the arrangement of both light and heavy atoms is critical for realistic modeling of interface properties, such as interface strength and ion transport, and will facilitate increased control over the performance of ceramic and semiconductor materials for a wide-range of applications.…

Bestandsnummer des Verkäufers 9781441978165

Titel
Atomic Scale Characterization and First-Principles Studies of Si¿N¿ Interfaces
Autor
Weronika Walkosz
Verlag
Springer
Erscheinungsjahr
2011
Zustand
Neu
Einband
Buch
Sprache
Englisch
ISBN-10
144197816X
ISBN-13
9781441978165
Artikelgewicht
307 Gramm
Abmessungen
241x160x11 mm

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