Compound Semiconductor Materials and Devices

Sprache: Englisch

Verlag: Springer International Publishing Feb 2016, 2016

3031009002 / 9783031009006

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This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Ever since its invention in the 1980s, the compound semiconductor heterojunction-based high electron mobility transistor (HEMT) has been widely used in radio frequency (RF) applications. This book provides readers with broad coverage on techniques and new trends of HEMT, employing leading compound semiconductors, III-N and III-V materials. The content includes an overview of GaN HEMT device-scaling technologies and experimental research breakthroughs in fabricating various GaN MOSHEMT transistors. Readers are offered an inspiring example of monolithic integration of HEMT with LEDs, too. The authors compile the most relevant aspects of III-V HEMT, including the current status of state-of-art HEMTs, their possibility of replacing the Si CMOS transistor channel, and growth opportunities of III-V materials on an Si substrate. With detailed exploration and explanations, the book is a helpful source suitable for anyone learning about and working on compound semiconductor devices. 76 pp. Englisch.…

Bestandsnummer des Verkäufers 9783031009006

Titel
Compound Semiconductor Materials and Devices
Autor
Zhaojun Liu
Verlag
Springer International Publishing Feb 2016
Erscheinungsjahr
2016
Zustand
Neu
Einband
Taschenbuch
Sprache
Englisch
ISBN-10
3031009002
ISBN-13
9783031009006
Artikelgewicht
161 Gramm
Abmessungen
235x191x5 mm

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