Design of Low Leakage SRAM

Sprache: Englisch

Verlag: LAP LAMBERT Academic Publishing Sep 2018, 2018

6139907861 / 9786139907861

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This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -The most research on the power consumption of circuits has been concentrated on the switching power and the power dissipated by the leakage current has been the relatively minor area. However, in the current VLSI process, the sub-threshold current becomes one of the major factors of the power consumption, especially in high-end memory. To reduce the leakage power in the SRAM, the power gating method can be applied and a major technique of the power gating is using sleep transistors to control the sub-threshold current. In this project, dual threshold voltages are adopted; normal SRAM cells have lower threshold voltages and the higher threshold voltages control the sleep transistors. The size of sleep transistors can be chosen by the worst case current and are applied to every block.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 56 pp. Englisch.

Bestandsnummer des Verkäufers 9786139907861

Titel
Design of Low Leakage SRAM
Autor
Rajan Prasad Tripathi
Verlag
LAP LAMBERT Academic Publishing Sep 2018
Erscheinungsjahr
2018
Zustand
Neu
Einband
Taschenbuch
Sprache
Englisch
ISBN-10
6139907861
ISBN-13
9786139907861
Artikelgewicht
102 Gramm
Abmessungen
220x150x4 mm

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