Emerging Non-volatile Memory Technologies

Sprache: Englisch

Verlag: Springer Nature Singapore Jan 2021, 2021

981156910X / 9789811569104

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This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -This book offers a balanced and comprehensive guide to the core principles, fundamental properties, experimental approaches, and state-of-the-art applications of two major groups of emerging non-volatile memory technologies, i.e. spintronics-based devices as well as resistive switching devices, also known as Resistive Random Access Memory (RRAM). The first section presents different types of spintronic-based devices, i.e. magnetic tunnel junction (MTJ), domain wall, and skyrmion memory devices. This section describes how their developments have led to various promising applications, such as microwave oscillators, detectors, magnetic logic, and neuromorphic engineered systems. In the second half of the book, the underlying device physics supported by different experimental observations and modelling of RRAM devices are presented with memory array level implementation. An insight into RRAM desired properties as synaptic element in neuromorphic computing platforms from material and algorithms viewpoint is also discussed with specific example in automatic sound classification framework. 448 pp. Englisch.…

Bestandsnummer des Verkäufers 9789811569104

Titel
Emerging Non-volatile Memory Technologies
Autor
Wen Siang Lew
Verlag
Springer Nature Singapore Jan 2021
Erscheinungsjahr
2021
Zustand
Neu
Einband
Buch
Sprache
Englisch
ISBN-10
981156910X
ISBN-13
9789811569104
Artikelgewicht
834 Gramm
Abmessungen
241x160x30 mm

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