Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip

Sprache: Englisch

Verlag: Springer International Publishing AG, CH, 2017

3319604015 / 9783319604015

Anbieter: Rarewaves.com UK, London, Vereinigtes KönigreichRarewaves.com UK

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This book pioneers the field of gain-cell embedded DRAM (GC-eDRAM) design for low-power VLSI systems-on-chip (SoCs). Novel GC-eDRAMs are specifically designed and optimized for a range of low-power VLSI SoCs, ranging from ultra-low power to power-aware high-performance applications. After a detailed review of prior-art GC-eDRAMs, an analytical retention time distribution model is introduced and validated by silicon measurements, which is key for low-power GC-eDRAM design. The book then investigates supply voltage scaling and near-threshold voltage (NTV) operation of a conventional gain cell (GC), before presenting novel GC circuit and assist techniques for NTV operation, including a 3-transistor full transmission-gate write port, reverse body biasing (RBB), and a replica technique for optimum refresh timing. Next, conventional GC bitcells are evaluated under aggressive technology and voltage scaling (down to the subthreshold domain), before novel bitcells for aggressively scaled CMOS nodes and soft-error tolerance as presented, including a 4-transistor GC with partial internal feedback and a 4-transistor GC with built-in redundancy.…

Bestandsnummer des Verkäufers LU-9783319604015

Titel
Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Autor
Pascal Meinerzhagen, Adam Teman, Robert Giterman, Noa Edri, Andreas Burg, Alexander Fish
Verlag
Springer International Publishing AG, CH
Erscheinungsjahr
2017
Zustand
New
Einband
Hardback
Sprache
Englisch
ISBN-10
3319604015
ISBN-13
9783319604015
Auflage
1st ed. 2018.

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