Highly Integrated Gate Drivers for Si and GaN Power Transistors

Sprache: Englisch

Verlag: Springer International Publishing Apr 2022, 2022

3030689425 / 9783030689421

Anbieter: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, DeutschlandBuchWeltWeit Ludwig Meier e.K.

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This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -This book explores integrated gate drivers with emphasis on new gallium nitride (GaN) power transistors, which offer fast switching along with minimum switching losses. It serves as a comprehensive, all-in-one source for gate driver IC design, written in handbook style with systematic guidelines. The authors cover the full range from fundamentals to implementation details including topics like power stages, various kinds of gate drivers (resonant, non-resonant, current-source, voltage-source), gate drive schemes, driver supply, gate loop, gate driver power efficiency and comparison silicon versus GaN transistors. Solutions are presented on the system and circuit level for highly integrated gate drivers. Coverage includes miniaturization by higher integration of subfunctions onto the IC (buffer capacitors), as well as more efficient switching by a multi-level approach, which also improves robustness in case of extremely fast switching transitions. The discussion also includes a concept for robust operation in the highly relevant case that the gate driver is placed in distance to the power transistor. All results are widely applicable to achieve highly compact, energy efficient, and cost-effective power electronics solutions. 144 pp. Englisch.

Bestandsnummer des Verkäufers 9783030689421

Titel
Highly Integrated Gate Drivers for Si and GaN Power Transistors
Autor
Bernhard Wicht
Verlag
Springer International Publishing Apr 2022
Veröffentlichungsjahr
2022
Zustand
Neu
Einband
Taschenbuch
Sprache
Englisch
ISBN-10
3030689425
ISBN-13
9783030689421
Artikelgewicht
230 Gramm
Abmessungen
235x155x9 mm

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