An Improved Markov Random Field Design Approach For Digital Circuits : Introducing Fault-Tolerance With Higher Noise-Immunity For The Nano-Circuits As Compared To CMOS And MRF Designs

Sprache: Englisch

Verlag: LAP LAMBERT Academic Publishing, 2011

3844332634 / 9783844332636

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nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - As the MOSFET dimensions scale down to nanoscale level, the reliability of circuits based on these devices decreases. Therefore, a mechanism has to be devised that can make the nanoscale systems perform reliably using unreliable circuit components. The solution is fault-tolerant circuit design. Markov Random Field (MRF) is an effective approach that achieves fault-tolerance in integrated circuit design. The previous research on this technique suffers from limitations at the design, simulation and implementation levels. As improvements, the MRF fault-tolerance rules have been validated for a practical circuit example. The simulation framework is extended from thermal to a combination of thermal and random telegraph signal noise sources to provide a more rigorous noise environment for the simulation of nanoscale circuits. Moreover, an architecture-level improvement has been proposed in the design of previous MRF gates. The re-designed MRF is termed as Improved-MRF. By simulating various test circuits in Cadence, it is found that Improved-MRF circuits are 400 whereas MRF circuits are only 10 times more noise-tolerant than the CMOS alternatives.…

Bestandsnummer des Verkäufers 9783844332636

Titel
An Improved Markov Random Field Design Approach For Digital Circuits : Introducing Fault-Tolerance With Higher Noise-Immunity For The Nano-Circuits As Compared To CMOS And MRF Designs
Autor
Vijanth Sagayan Asirvadam
Verlag
LAP LAMBERT Academic Publishing
Erscheinungsjahr
2011
Zustand
Neu
Einband
Taschenbuch
Sprache
Englisch
ISBN-10
3844332634
ISBN-13
9783844332636
Artikelgewicht
149 Gramm
Abmessungen
220x150x6 mm

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