Indium concentration on InGaN/GaN nanolayers quantum well

Sprache: Englisch

Verlag: LAP LAMBERT Academic Publishing Okt 2018, 2018

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This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -We believe that positive ion plays an important role in Indium-containing nitride compounds. Increasing indium, even in low amounts in nitride compounds, has been shown to increase the intensity of the radiation spectrum in LEDs and LDs. This is related to an increase in the radiation spectrum with the effect of indium. There are various results that confirm the effect of fluctuations in the indium diffusion in nitride alloys.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 100 pp. Englisch.

Bestandsnummer des Verkäufers 9786139911684

Titel
Indium concentration on InGaN/GaN nanolayers quantum well
Autor
Samane Sadat Ahmadi
Verlag
LAP LAMBERT Academic Publishing Okt 2018
Erscheinungsjahr
2018
Zustand
Neu
Einband
Taschenbuch
Sprache
Englisch
ISBN-10
6139911680
ISBN-13
9786139911684
Artikelgewicht
167 Gramm
Abmessungen
220x150x6 mm

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