Modeling and Simulation of Physical Properties in Semiconductors : Modeling and Simulation of Structural and Electronic Properties in Binary Semiconductors

Sprache: Englisch

Verlag: LAP LAMBERT Academic Publishing, 2010

3843368066 / 9783843368063

Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, DeutschlandAHA-BUCH GmbH

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nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - The empirical concepts as electronegativity, ionicity and bulk modulus are very important for studying the basic properties of solids. The difficulty in defining the ionicity and bulk modulus lies in transforming a qualitative or verbal concept into a quantitative, mathematical formula. My works concentrated on using empirical pseudopotential method (EPM) to calculate electronic properties (ionicity factor) i in terms of the difference between the first and second valence band at point X, Eg (V2-V1), and making various formulas as a function of transverse effective charge eT , nearest-neighbor distance d, cohesive energy Ecoh, and refractive index n0. I had investigated for the structural properties (bulk modulus) B0 new models in terms of the cation part SC of the charge density, the transition pressure Pt and the lattice parameter. This study has three essential goals: 1. Define the ionicity factor and the bulk modulus by the electronic band structure and charge density, respectively. 2. Establish a new scale. 3. Study the validity of the new models under external effects. The reasonable results compared with experimental and theoretical ones are obtained.…

Bestandsnummer des Verkäufers 9783843368063

Titel
Modeling and Simulation of Physical Properties in Semiconductors : Modeling and Simulation of Structural and Electronic Properties in Binary Semiconductors
Autor
Yarub Al-Douri
Verlag
LAP LAMBERT Academic Publishing
Erscheinungsjahr
2010
Zustand
Neu
Einband
Taschenbuch
Sprache
Englisch
ISBN-10
3843368066
ISBN-13
9783843368063
Artikelgewicht
227 Gramm
Abmessungen
220x150x9 mm

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