Multi-run Memory Tests for Pattern Sensitive Faults

Sprache: Englisch

Verlag: Springer International Publishing Feb 2019, 2019

3030081982 / 9783030081980

Anbieter: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, DeutschlandBuchWeltWeit Ludwig Meier e.K.

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This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -This book describes efficient techniques for production testing as well as for periodic maintenance testing (specifically in terms of multi-cell faults) in modern semiconductor memory. The author discusses background selection and address reordering algorithms in multi-run transparent march testing processes. Formal methods for multi-run test generation and many solutions to increase their efficiency are described in detail. All methods presented ideas are verified by both analytical investigations and numerical simulations.Provides the first book related exclusively to the problem of multi-cell fault detection by multi-run tests in memory testing process;Presents practical algorithms for design and implementation of efficient multi-run tests;Demonstrates methods verified by analytical and experimental investigations. 148 pp. Englisch.

Bestandsnummer des Verkäufers 9783030081980

Titel
Multi-run Memory Tests for Pattern Sensitive Faults
Autor
Ireneusz Mrozek
Verlag
Springer International Publishing Feb 2019
Erscheinungsjahr
2019
Zustand
Neu
Einband
Taschenbuch
Sprache
Englisch
ISBN-10
3030081982
ISBN-13
9783030081980
Artikelgewicht
236 Gramm
Abmessungen
235x155x9 mm

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