New Developments in Semiconductor Physics

Sprache: Englisch

Verlag: Springer, Springer Mai 1980, 1980

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This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Low temperature photo- and magneto-transport involving impurity-phonon resonances in semiconductors.- Optically detected magnetic resonance studies of semiconductors.- Deep level spectroscopy in semicounductors by optical excitation.- Depleted layer spectroscopy.- Luminescence of chromium in gallium arsenide.- Analysis of defect states by transient capacitance methods in proton bombarded gallium arsenide at 300 K and 77 K.- Properties of an extended defect in GaAs.62P.38.- Large defect-lattice relaxation phenomena in solids.- Temperature dependent decay of a metastable state of systems with large impurity-lattice relaxation (CdF2 : In).- Electron-phonon interaction: Polaron transport.- Stress dependence of quantum limit hall effect and transverse magnetoresistance in n-InSb.- Photoluminescence in amorphous semiconductors.- Man-made semiconductor superlattices.- The localized states of interfaces and their physical models.- Cyclic cluster model (CCM) in the CNDO approximation for deep levels in covalent solids.- Is there a minimum linewidth in integrated circuits . 292 pp. Englisch.

Bestandsnummer des Verkäufers 9783540099888

Titel
New Developments in Semiconductor Physics
Autor
F. Beleznay
Verlag
Springer, Springer Mai 1980
Veröffentlichungsjahr
1980
Zustand
Neu
Einband
Taschenbuch
Sprache
Englisch
ISBN-10
3540099883
ISBN-13
9783540099888
Artikelgewicht
508 Gramm
Abmessungen
244x170x16 mm

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