Plasma Etching Processes for CMOS Devices Realization

Sprache: Englisch

Verlag: ISTE Press - Elsevier, 2017

1785480960 / 9781785480966

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nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - Plasma etching has long enabled the perpetuation of Moore's Law. Today, etch compensation helps to create devices that are smaller than 20 nm. But, with the constant downscaling in device dimensions and the emergence of complex 3D structures (like FinFet, Nanowire and stacked nanowire at longer term) and sub 20 nm devices, plasma etching requirements have become more and more stringent.Now more than ever, plasma etch technology is used to push the limits of semiconductor device fabrication into the nanoelectronics age. This will require improvement in plasma technology (plasma sources, chamber design, etc.), new chemistries (etch gases, flows, interactions with substrates, etc.) as well as a compatibility with new patterning techniques such as multiple patterning, EUV lithography, Direct Self Assembly, ebeam lithography or nanoimprint lithography.This book presents these etch challenges and associated solutions encountered throughout the years for transistor realization.

Bestandsnummer des Verkäufers 9781785480966

Titel
Plasma Etching Processes for CMOS Devices Realization
Autor
Nicolas Posseme
Verlag
ISTE Press - Elsevier
Veröffentlichungsjahr
2017
Zustand
Neu
Einband
Buch
Sprache
Englisch
ISBN-10
1785480960
ISBN-13
9781785480966
Artikelgewicht
330 Gramm
Abmessungen
229x152x10 mm

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