Point and Extended Defects in Semiconductors

Sprache: Englisch

Verlag: Springer, Chapman And Hall/CRC Apr 2013, 2013

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This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -The systematic study of defects in semiconductors began in the early fifties. FrQm that time on many questions about the defect structure and properties have been an swered, but many others are still a matter of investigation and discussion. Moreover, during these years new problems arose in connection with the identification and char acterization of defects, their role in determining transport and optical properties of semiconductor materials and devices, as well as from the technology of the ever in creasing scale of integration. This book presents to the reader a view into both basic concepts of defect physics and recent developments of high resolution experimental techniques. The book does not aim at an exhaustive presentation of modern defect physics; rather it gathers a number of topics which represent the present-time research in this field. The volume collects the contributions to the Advanced Research Workshop 'Point, Extended and Surface Defects in Semiconductors' held at the Ettore Majo rana Centre at Erice (Italy) from 2 to 7 November 1988, in the framework of the International School of Materials Science and Technology. The workshop has brought together scientists from thirteen countries. Most participants are currently working on defect problems in either silicon submicron technology or in quantum wells and superlattices, where point defects, dislocations, interfaces and surfaces are closely packed together. 300 pp. Englisch.…

Bestandsnummer des Verkäufers 9781468457117

Titel
Point and Extended Defects in Semiconductors
Autor
Giorgio Benedek
Verlag
Springer, Chapman And Hall/CRC Apr 2013
Erscheinungsjahr
2013
Zustand
Neu
Einband
Taschenbuch
Sprache
Englisch
ISBN-10
146845711X
ISBN-13
9781468457117
Artikelgewicht
569 Gramm
Abmessungen
254x178x17 mm

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