Research on the Radiation Effects and Compact Model of SiGe HBT

Sprache: Englisch

Verlag: Springer Nature Singapore Nov 2017, 2017

9811046115 / 9789811046117

Serie: Buch 361 von 797 - Springer Theses

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This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -This book primarily focuses on the radiation effects and compact model of silicon-germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistors (HBTs). It introduces the small-signal equivalent circuit of SiGe HBTs including the distributed effects, and proposes a novel direct analytical extraction technique based on non-linear rational function fitting. It also presents the total dose effects irradiated by gamma rays and heavy ions, as well as the single-event transient induced by pulse laser microbeams. It offers readers essential information on the irradiation effects technique and the SiGe HBTs model using that technique. 192 pp. Englisch.

Bestandsnummer des Verkäufers 9789811046117

Titel
Research on the Radiation Effects and Compact Model of SiGe HBT
Autor
Yabin Sun
Verlag
Springer Nature Singapore Nov 2017
Erscheinungsjahr
2017
Zustand
Neu
Einband
Buch
Sprache
Englisch
ISBN-10
9811046115
ISBN-13
9789811046117
Artikelgewicht
459 Gramm
Abmessungen
241x160x17 mm
Serie
Buch 361 von 797: Springer Theses

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