Research on the Radiation Effects and Compact Model of SiGe HBT

Sprache: Englisch

Verlag: Springer Nature Singapore Jan 2019, 2019

9811351813 / 9789811351815

Serie: Buch 361 von 797 - Springer Theses

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This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -This book primarily focuses on the radiation effects and compact model of silicon-germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistors (HBTs). It introduces the small-signal equivalent circuit of SiGe HBTs including the distributed effects, and proposes a novel direct analytical extraction technique based on non-linear rational function fitting. It also presents the total dose effects irradiated by gamma rays and heavy ions, as well as the single-event transient induced by pulse laser microbeams. It offers readers essential information on the irradiation effects technique and the SiGe HBTs model using that technique. 192 pp. Englisch.

Bestandsnummer des Verkäufers 9789811351815

Titel
Research on the Radiation Effects and Compact Model of SiGe HBT
Autor
Yabin Sun
Verlag
Springer Nature Singapore Jan 2019
Erscheinungsjahr
2019
Zustand
Neu
Einband
Taschenbuch
Sprache
Englisch
ISBN-10
9811351813
ISBN-13
9789811351815
Artikelgewicht
300 Gramm
Abmessungen
235x155x11 mm
Serie
Buch 361 von 797: Springer Theses

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