SEMICONDUCTOR INTERFACES AND MICROSTRUCTURES

ISBN 10: 9810208642 ISBN 13: 9789810208646

Verlag: World Scientific Publishing Comp, 1992

Sprache: Englisch

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Bibliografische Details

Titel

SEMICONDUCTOR INTERFACES AND MICROSTRUCTURES

Verlag

World Scientific Publishing Comp

Erscheinungsjahr

1992

Sprache

Englisch

ISBN-10

9810208642

ISBN-13

9789810208646

Einband

hardcover

Zustand

Acceptable

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Inhaltsangabe

Recently there have been major achievements in the study of semiconductor interfaces and microstructures for different materials and structural systems. Progress has been made through various experimental technologies and theoretical methods. This book provides an up-to-date review on these advances and includes the following major subjects: IV-IV, III-V and II-VI semiconductors and metal/semiconductor structures; new developments in growth methods; electric, optical, magnetic and structural characterization and properties; relative theories ― electronic transport, phonos and interface modes; devices and applications. These materials are organized into four sections: General, III-V, II-VI and IV-IV, which offer comprehensive information and help readers in following the new developments in the research frontiers of the above fields.

Rese�a del editor

Recently there have been major achievements in the study of semiconductor interfaces and microstructures for different materials and structural systems. Progress has been made through various experimental technologies and theoretical methods. This book provides an up-to-date review on these advances and includes the following major subjects: IV-IV, III-V and II-VI semiconductors and metal/semiconductor structures; new developments in growth methods; electric, optical, magnetic and structural characterization and properties; relative theories - electronic transport, phonos and interface modes; devices and applications. These materials are organized into four sections: General, III-V, II-VI and IV-IV, which offer comprehensive information and help readers in following the new developments in the research frontiers of the above fields.

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