SiC Power Module Design

Sprache: Englisch

Verlag: Institution of Engineering and Technology, GB, 2022

1785619071 / 9781785619076

Serie: Buch 64 von 65 - Energy Engineering

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Artikelbeschreibung vom Verkäufer

High-frequency switching power semiconductor devices are at the heart of power electronic converters. To date, these devices have been dominated by the well-established silicon (Si) technology. However, their intrinsic physical limits are becoming a barrier to achieving higher performance power conversion. Wide Bandgap (WBG) semiconductor devices offer the potential for higher efficiency, smaller size, lighter weight, and/or longer lifetime. Applications in power grid electronics as well as in electromobility are on the rise, but a number of technological bottle-necks need to be overcome if applications are to become more widespread - particularly packaging. This book describes the development of advanced multi-chip packaging solutions for novel WBG semiconductors, specifically silicon carbide (SiC) power MOSFETs. Coverage includes an introduction; multi-chip power modules; module design and transfer to SiC technology; electrothermal, thermo-mechanical, statistical and electromagnetic aspects of optimum module design; high temperature capable SiC power modules; validation technologies; degradation monitoring; and emerging packaging technologies. The book is a valuable reference for researchers and experts in academia and industry.

Bestandsnummer des Verkäufers LU-9781785619076

Titel
SiC Power Module Design
Autor
Castellazzi, Alberto
Verlag
Institution of Engineering and Technology, GB
Veröffentlichungsjahr
2022
Zustand
New
Einband
Hardback
Sprache
Englisch
ISBN-10
1785619071
ISBN-13
9781785619076
Serie
Buch 64 von 65: Energy Engineering

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