The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices

Sprache: Englisch

Verlag: Springer Berlin Heidelberg Jun 2016, 2016

366249681X / 9783662496817

Serie: Buch 107 von 797 - Springer Theses

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This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -This book mainly focuses on reducing the high parasitic resistance in the source/drain of germanium nMOSFET. With adopting of the Implantation After Germanide (IAG) technique, P and Sb co-implantation technique and Multiple Implantation and Multiple Annealing (MIMA) technique, the electron Schottky barrier height of NiGe/Ge contact is modulated to 0.1eV, the thermal stability of NiGe is improved to 600 and the contact resistivity of metal/n-Ge contact is drastically reduced to 3.8×10-7 -cm2, respectively. Besides, a reduced source/drain parasitic resistance is demonstrated in the fabricated Ge nMOSFET. Readers will find useful information about the source/drain engineering technique for high-performance CMOS devices at future technology node. 80 pp. Englisch.

Bestandsnummer des Verkäufers 9783662496817

Titel
The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices
Autor
Zhiqiang Li
Verlag
Springer Berlin Heidelberg Jun 2016
Erscheinungsjahr
2016
Zustand
Neu
Einband
Buch
Sprache
Englisch
ISBN-10
366249681X
ISBN-13
9783662496817
Artikelgewicht
310 Gramm
Abmessungen
241x160x10 mm
Serie
Buch 107 von 797: Springer Theses

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