Stress Analysis of Silicon Carbide Microelectromechanical Systems Using Raman Spectroscopy

Sprache: Englisch

Verlag: BIBLIOSCHOLAR, 2012

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KlappentextrnrnDuring the fabrication of Micro-Electro-Mechanical Systems (MEMS), residual stress is often induced in the thin films that are deposited to create these systems. These stresses can cause the device to fail due to buckling, curling.

Bestandsnummer des Verkäufers 6548661

Titel
Stress Analysis of Silicon Carbide Microelectromechanical Systems Using Raman Spectroscopy
Autor
Ness, Stanley J.
Verlag
BIBLIOSCHOLAR
Erscheinungsjahr
2012
Zustand
New
Einband
Softcover
Sprache
Englisch
ISBN-10
128686237X
ISBN-13
9781286862377

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