Theoretical Study of Electrical Properties of n-type GaN

Sprache: Englisch

Verlag: LAP LAMBERT Academic Publishing Mai 2018, 2018

6139834945 / 9786139834945

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This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -In this book, A theoretical model of energy loss mechanism as a function of electron temperature and electron concentration has been given for n-type GaN structures. The energy relaxation rates and mobility for warm and hot electrons have been calculated for over the electron temperature(T) range of 1.5 to 500 K at lattice temperature T0=1.5 K. It has been found that the acoustic phonon scattering due to deformation potential and piezoelectric coupling are the dominant scattering mechanisms at low electron temperatures (Te100 K, the polar optic phonon scattering becomes the effective scattering mechanism. The optic phonon energy of GaN was obtained as 91.8 meV and the PO phonon emission time as 8.6 fs. Also, the drift velocity of electrons as function of electron temperature and electric field has been obtained. The theoretical results are compared with available experimental results and a good agreement is observed.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 76 pp. Englisch.

Bestandsnummer des Verkäufers 9786139834945

Titel
Theoretical Study of Electrical Properties of n-type GaN
Autor
Arindam Biswas
Verlag
LAP LAMBERT Academic Publishing Mai 2018
Veröffentlichungsjahr
2018
Zustand
Neu
Einband
Taschenbuch
Sprache
Englisch
ISBN-10
6139834945
ISBN-13
9786139834945
Artikelgewicht
131 Gramm
Abmessungen
220x150x5 mm

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