Understanding the growth of epitaxial InAs/GaAs nanowires

Sprache: Englisch

Verlag: LAP LAMBERT Academic Publishing Jan 2010, 2010

3838341422 / 9783838341422

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This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Materials in smaller scales exhibit promising properties that are useful for wide variety of applications. Semiconductor quantum wells and quantum dots are two main examples of low-dimensional systems, where the quantum wells act as two-dimensional systems and the quantum dots act as zero-dimensional systems. Alternatively, semiconductor nanowires act as one-dimensional materials, and they exhibit promising and device applicable properties. These semiconductor nanowires are expected to be the building blocks for future nanoelectronic and nano-optoelectronic device technology. Compositional modulation within an individual nanowire (heterostructure) enables the designing of band structure of a nanowire and thereby allows the fabrication of single nanowire devices. These nanowire heterostructures show many potential properties and consequent applications. However, the fundamental growth mechanisms nanowire heterostructures have not been explored sufficiently due to their complex nature of the growth. In this regard, this book addresses the fundamental issues associated with the growth of epitaxial axial and radial nanowire heterostructures.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 120 pp. Englisch.

Bestandsnummer des Verkäufers 9783838341422

Titel
Understanding the growth of epitaxial InAs/GaAs nanowires
Autor
Mohan Chand Paladugu
Verlag
LAP LAMBERT Academic Publishing Jan 2010
Veröffentlichungsjahr
2010
Zustand
Neu
Einband
Taschenbuch
Sprache
Englisch
ISBN-10
3838341422
ISBN-13
9783838341422
Artikelgewicht
197 Gramm
Abmessungen
220x150x8 mm

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