Variation-Aware Advanced CMOS Devices and SRAM

Sprache: Englisch

Verlag: Springer, 2016

9401775958 / 9789401775953

Serie: Buch 60 von 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics

Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, DeutschlandAHA-BUCH GmbH

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Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book provides a comprehensive overview of contemporary issues in complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) device design, describing how to overcome process-induced random variations such as line-edge-roughness, random-dopant-fluctuation, and work-function variation, and the applications of novel CMOS devices to cache memory (or Static Random Access Memory, SRAM). The author places emphasis on the physical understanding of process-induced random variation as well as the introduction of novel CMOS device structures and their application to SRAM. The book outlines the technical predicament facing state-of-the-art CMOS technology development, due to the effect of ever-increasing process-induced random/intrinsic variation in transistor performance at the sub-30-nm technology nodes. Therefore, the physical understanding of process-induced random/intrinsic variations and the technical solutions to address these issues plays a key role in new CMOS technology development.This book aims to provide the reader with a deep understanding of the major random variation sources, and the characterization of each random variation source. Furthermore, the book presents various CMOS device designs to surmount the random variation in future CMOS technology, emphasizing the applications to SRAM.

Bestandsnummer des Verkäufers 9789401775953

Titel
Variation-Aware Advanced CMOS Devices and SRAM
Autor
Changhwan Shin
Verlag
Springer
Veröffentlichungsjahr
2016
Zustand
Neu
Einband
Buch
Sprache
Englisch
ISBN-10
9401775958
ISBN-13
9789401775953
Artikelgewicht
422 Gramm
Abmessungen
241x160x14 mm
Serie
Buch 60 von 72: Springer Series in Advanced Microelectronics

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