Amro raed (6 Ergebnisse)

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    • Sprache: Englisch

      Verlag: Noor Publishing 2017

      3330852569 / 9783330852563

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      Paperback. Zustand: Brand New. 136 pages. 8.66x5.91x0.31 inches. In Stock.

    • Sprache: Englisch

      Verlag: Noor Publishing 2017

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      Taschenbuch. Zustand: Neu. Life-Time Estimation of Modern Power Electronics Devices | Power cycling capability of advanced packaging and interconnection technologies at high temperature swings | Raed Amro | Taschenbuch | 136 S. | Englisch | 2017 | Noor Publishing | EAN 9783330852563 | Verantwortliche Person für die EU: preigu Gm

    • Sprache: Englisch

      Verlag: Noor Publishing Feb 2017 2017

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      Taschenbuch. Zustand: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Due to the increasing advancements in power devices, especially in Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) technology, switching of kV and kA within mis is possible. Thereby a dissipation power up to 400W per chip is generated. Comp

    • Sprache: Englisch

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      Zustand: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Autor/Autorin: Amro RaedDr Raed Amro holds a doctoral degree in electrical engineering from the Technical University of Chemnitz in Germany.works as Professor at Palestine Polytechnic University in Hebron-Palestine.Due

    • Sprache: Englisch

      Verlag: Noor Publishing Feb 2017 2017

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      Taschenbuch. Zustand: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Due to the increasing advancements in power devices, especially in Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) technology, switching of kV and kA within ¿s is possible. Thereby a dissipation power up to 400W per chip is generated. Compared

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      Taschenbuch. Zustand: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - Due to the increasing advancements in power devices, especially in Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) technology, switching of kV and kA within mis is possible. Thereby a dissipation power up to 400W per chip is generated. Compared