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Microelectromechanical Systems
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2011
ISBN 10: 1605112763 ISBN 13: 9781605112763
Anbieter: Majestic Books, Hounslow, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 4 von 5 Sternen
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Microelectromechanical Systems
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press CUP, 2011
ISBN 10: 1605112763 ISBN 13: 9781605112763
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Microelectromechanical Systems
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2011
ISBN 10: 1605112763 ISBN 13: 9781605112763
Anbieter: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Deutschland
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Microelectromechanical Systems - Materials And Devices Iv
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2011
ISBN 10: 1605112763 ISBN 13: 9781605112763
Anbieter: Romtrade Corp., STERLING HEIGHTS, MI, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS - MATERIALS AND DEVICES IV
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2011
ISBN 10: 1605112763 ISBN 13: 9781605112763
Anbieter: Basi6 International, Irving, TX, USA
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Nanotechnology For Electronic Materials And Devices (Nanostructure Science And Technology)
Anbieter: Romtrade Corp., STERLING HEIGHTS, MI, USA
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Nanotechnology For Electronic Materials And Devices (Nanostructure Science And Technology)
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Microelectromechanical Systems - Materials and Devices IV: Volume 1299 (MRS Proceedings)
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2014
ISBN 10: 1107406838 ISBN 13: 9781107406834
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
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Microelectromechanical Systems - Materials and Devices Iv: Volume 1299 (MRS Proceedings)
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press 2014-06-05, 2014
ISBN 10: 1107406838 ISBN 13: 9781107406834
Anbieter: Chiron Media, Wallingford, Vereinigtes Königreich
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Defects in HIgh-k Gate Dielectric Stacks. Nano-Electronic Semiconductor Devices.
Buch 133 von 241: NATO Science Series II: Mathematics, Physics and ChemistrySprache: Englisch
Verlag: Dordrecht, Springer Netherland., 2006
ISBN 10: 140204366X ISBN 13: 9781402043666
Anbieter: Universitätsbuchhandlung Herta Hold GmbH, Berlin, Deutschland
Verbandsmitglied: GIAQ ILAB VDA
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16 x 23 cm. XII, 492 S. XI, 492 p. Softcover. Versand aus Deutschland / We dispatch from Germany via Air Mail. Einband bestoßen, daher Mängelexemplar gestempelt, sonst sehr guter Zustand. Imperfect copy due to slightly bumped cover, apart from this in very good condition. Stamped. (NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry). Sprache: Englisch.
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Nanotechnology for Electronic Materials and Devices
Anbieter: Basi6 International, Irving, TX, USA
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Advanced Gate Stacks For High-mobility Semiconductors
Anbieter: Romtrade Corp., STERLING HEIGHTS, MI, USA
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Advanced Gate Stacks For High-mobility Semiconductors
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Microelectromechanical Systems - Materials and Devices IV : Volume 1299
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2014
ISBN 10: 1107406838 ISBN 13: 9781107406834
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Symposium S, 'Microelectromechanical Systems - Materials and Devices IV', held November 29-December 3 at the 2010 MRS Fall Meeting in Boston, Massachusetts, focused on micro- and nanoelectromechanical systems (MEMS/NEMS), technologies which were spawned from the fabrication and integration of small-scale mechanical, electrical, thermal, magnetic, fluidic and optical sensors and actuators with micro-electronic components. MEMS and NEMS have enabled performance enhancements and manufacturing cost reductions in a number of applications, including optical displays, acceleration sensing, radio-frequency switching, drug delivery, chemical detection and power generation and storage. Although originally based on silicon microelectronics, the reach of MEMS and NEMS has extended well beyond traditional engineering materials and now includes nanomaterials (nanotubes, nanowires, nanoparticles), smart materials (piezoelectric and ferroelectric materials, shape memory alloys, pH-sensitive polymers), metamaterials and biomaterials (ceramic, metallic, polymeric, composite-based implant materials). While these new materials provide more freedom with regards to the design space of MEMS and NEMS, they also introduce a number of new fabrication and characterization challenges not previously encountered with silicon-based technology.
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Zustand: New. pp. 378.
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Nanotechnology for Electronic Materials and Devices
Anbieter: Majestic Books, Hounslow, Vereinigtes Königreich
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Defects in HIgh-k Gate Dielectric Stacks : Nano-Electronic Semiconductor Devices
Buch 133 von 241: NATO Science Series II: Mathematics, Physics and ChemistrySonderangebotEUR 23,50
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In den WarenkorbZustand: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Seiten: 508 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | The goal of this NATO Advanced Research Workshop (ARW) entitled ¿Defects in Advanced High-k Dielectric Nano-electronic Semiconductor Devices¿, which was held in St. Petersburg, Russia, from July 11 to 14, 2005, was to examine the very complex scientific issues that pertain to the use of advanced high dielectric constant (high-k) materials in next generation semiconductor devices. The special feature of this workshop was focus on an important issue of defects in this novel class of materials. One of the key obstacles to high-k integration into Si nano-technology are the electronic defects in high-k materials. It has been established that defects do exist in high-k dielectrics and they play an important role in device operation. However, very little is known about the nature of the defects or about possible techniques to eliminate, or at least minimize them. Given the absence of a feasible alternative in the near future, well-focused scientific research and aggressive development programs on high-k gate dielectrics and related devices must continue for semiconductor electronics to remain a competitive income producing force in the global market.
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Hardcover. Zustand: Very Good. AS NEW: Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-based Devices HC 1998 Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-based Devices (NATO Science Partnership Subseries: 3, 47) 1998th Edition by Eric Garfunkel (Editor), Evgeni Gusev (Editor), Alexander Vul' (Editor) OUR REFERENCE:128B3-0792350073-HC-2P2-lb-Wht-B45 DESCRIPTION An extrapolation of ULSI scaling trends indicates that minimum feature sizes below 0.1 mu and gate thicknesses of <3 nm will be required in the near future. Given the importance of ultrathin gate dielectrics, well-focused basic scientific research and aggressive development programs must continue on the silicon oxide, oxynitride, and high K materials on silicon systems, especially in the critical, ultrathin 1-3 nm regime. The main thrust of the present book is a review, at the nano and atomic scale, the complex scientific issues related to the use of ultrathin dielectrics in next-generation Si-based devices. The contributing authors are leading scientists, drawn from academic, industrial and government laboratories throughout the world, and representing such backgrounds as basic and applied physics, chemistry, electrical engineering, surface science, and materials science. Audience: Both expert scientists and engineers who wish to keep up with cutting edge research, and new students who wish to learn more about the exciting basic research issues relevant to next-generation device technology. Product details Publisher ‏ : ‎ Springer; 1998th edition (March 31, 1998) Language ‏ : ‎ English Hardcover ‏ : ‎ 518 pages ISBN-10 ‏ : ‎ 0792350073 ISBN-13 ‏ : ‎ 978-0792350071.
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Nanotechnology for Electronic Materials and Devices
Anbieter: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Deutschland
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Advanced Materials and Technologies for Micro/Nano-Devices, Sensors and Actuators (NATO Science for Peace and Security Series B: Physics and Biophysics)
Buch 2 von 32: NATO Science for Peace and Security Series B: Physics and BiophysicsAnbieter: Phatpocket Limited, Waltham Abbey, HERTS, Vereinigtes Königreich
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In den WarenkorbZustand: Good. Your purchase helps support Sri Lankan Children's Charity 'The Rainbow Centre'. Ex-library, so some stamps and wear, but in good overall condition. Our donations to The Rainbow Centre have helped provide an education and a safe haven to hundreds of children who live in appalling conditions.
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Advanced Gate Stacks for High-Mobility Semiconductors (Springer Series in Advanced Microelectronics, 27)
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
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Nanotechnology for Electronic Materials and Devices (Nanostructure Science and Technology)
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
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Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-based Devices (NATO Science Partnership Subseries: 3, 47)
Buch 16 von 26: Nato Science Partnership Subseries: 3Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
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Advanced Gate Stacks for High-Mobility Semiconductors (Springer Series in Advanced Microelectronics, 27)
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
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Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-based Devices (NATO Science Partnership Subseries: 3, 47)
Buch 16 von 26: Nato Science Partnership Subseries: 3Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
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Nanotechnology for Electronic Materials and Devices (Nanostructure Science and Technology)
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
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Advanced Gate Stacks for High-Mobility Semiconductors (Springer Series in Advanced Microelectronics, 27)
Anbieter: California Books, Miami, FL, USA
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Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on SI-Based Devices
Buch 16 von 26: Nato Science Partnership Subseries: 3Sprache: Englisch
Verlag: Kluwer Academic Publishers, 1998
ISBN 10: 0792350073 ISBN 13: 9780792350071
Anbieter: Kennys Bookshop and Art Galleries Ltd., Galway, GY, Irland
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Zustand: New. Proceedings of the NATO Advanced Research Workshop on Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-Based Devices: Towards an Atomic Scale Understanding, St. Petersburg, Russia, August 4-8, 1997 Editor(s): Garfunkel, Eric; Gusev, Evgeni; Vul', Alexander Ya. Series: NATO Science Partnership Subseries: 3. Num Pages: 507 pages, 114 black & white illustrations, biography. BIC Classification: TJFD5. Category: (P) Professional & Vocational; (UP) Postgraduate, Research & Scholarly. Dimension: 244 x 170 x 28. Weight in Grams: 962. . 1998. Hardback. . . . .
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In den WarenkorbZustand: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Seiten: 408 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | This book provides a comprehensive monograph on gate stacks in semiconductor technology. It covers the major latest developments and basics and will be useful as a reference work for researchers, engineers and graduate students alike. The reader will get a clear view of what has been done so far, what is the state-of-the-art and which are the main challenges ahead before we come any closer to a viable Ge and III-V MOS technology.
