Rachmady (32 Ergebnisse)
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - To address the increasing demands of device scaling, new materials are being introduced into conventional Si CMOS processing at an unprecedented rate. Presentations collected here focus on understanding, from a chemistry and materials perspective, th…e mechanism of interface formation and defects at interfaces, for both conventional Si and alternative channel (Ge or III-V) systems. Several papers address reliability concerns for high-k/metal gate (basic physical models, charge trapping, etc.), while others cover characterization of the thin films and interfaces which comprise the gate stack. Topics include: advanced Si-based gate stacks; and alternate channel materials.
Cmos Gate-stack Scaling Materials, Interfaces and Reliability Implications : Symposium Held April 14-16, 2009, San Francisco, California, U.s.a.
Butterbaugh, J. (EDT); Demkov, a (EDT); Harris, R. (EDT); Rachmady, W. (EDT); Taylor, B. (EDT)
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Cmos Gate-stack Scaling Materials, Interfaces and Reliability Implications : Symposium Held April 14-16, 2009, San Francisco, California, U.s.a.
Butterbaugh, J. (EDT); Demkov, a (EDT); Harris, R. (EDT); Rachmady, W. (EDT); Taylor, B. (EDT)
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Cmos Gate-stack Scaling - Materials, Interfaces and Reliability Implications: Volume 1155
. Ed(s): Demkov, Alexander A. (Freescale Semiconductor Inc., Austin, Texas); Taylor, Bill; Harris, H. Rusty; Butterbaugh, Jeffery W.; Rachmady, Willy
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Zustand: New. The MRS Symposium Proceeding series is an internationally recognised reference suitable for researchers and practitioners. Editor(s): Demkov, Alexander A. (Freescale Semiconductor Inc., Austin, Texas); Taylor, Bill; Harris, H. Rusty; Butterbaugh, Jeffery W.; Rachmady, Willy. Series: MRS Proceedings. Num Pages: 194…pages, Illustrations. BIC Classification: TGM. Category: (U) Tertiary Education (US: College). Dimension: 228 x 152 x 13. Weight in Grams: 430. . 2009. Hardback. . . . .
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Hardcover. Zustand: Brand New. 194 pages. 9.13x6.30x0.79 inches. In Stock.
Cmos Gate-stack Scaling Materials, Interfaces and Reliability Implications : Symposium Held April 14-16, 2009, San Francisco, California, U.s.a.
Butterbaugh, J. (EDT); Demkov, a (EDT); Harris, R. (EDT); Rachmady, W. (EDT); Taylor, B. (EDT)
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Cmos Gate-stack Scaling - Materials, Interfaces and Reliability Implications: Volume 1155
. Ed(s): Demkov, Alexander A. (Freescale Semiconductor Inc., Austin, Texas); Taylor, Bill; Harris, H. Rusty; Butterbaugh, Jeffery W.; Rachmady, Willy
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Zustand: New. The MRS Symposium Proceeding series is an internationally recognised reference suitable for researchers and practitioners. Editor(s): Demkov, Alexander A. (Freescale Semiconductor Inc., Austin, Texas); Taylor, Bill; Harris, H. Rusty; Butterbaugh, Jeffery W.; Rachmady, Willy. Series: MRS Proceedings. Num Pages: 194…pages, Illustrations. BIC Classification: TGM. Category: (U) Tertiary Education (US: College). Dimension: 228 x 152 x 13. Weight in Grams: 430. . 2009. Hardback. . . . . Books ship from the US and Ireland.
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Cmos Gate-stack Scaling Materials, Interfaces and Reliability Implications : Symposium Held April 14-16, 2009, San Francisco, California, U.s.a.
Butterbaugh, J. (EDT); Demkov, a (EDT); Harris, R. (EDT); Rachmady, W. (EDT); Taylor, B. (EDT)
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Buch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - To address the increasing demands of device scaling, new materials are being introduced into conventional Si CMOS processing at an unprecedented rate. Presentations collected here focus on understanding, from a chemistry and materials perspective, the mecha…nism of interface formation and defects at interfaces, for both conventional Si and alternative channel (Ge or III-V) systems. Several papers address reliability concerns for high-k/metal gate (basic physical models, charge trapping, etc.), while others cover characterization of the thin films and interfaces which comprise the gate stack. Topics include: advanced Si-based gate stacks; and alternate channel materials.
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Paperback. Zustand: new. Paperback. To address the increasing demands of device scaling, new materials are being introduced into conventional Si CMOS processing at an unprecedented rate. Presentations collected here focus on understanding, from a chemistry and materials perspective, the mechanism of interface formation and defec…ts at interfaces, for both conventional Si and alternative channel (Ge or III-V) systems. Several papers address reliability concerns for high-k/metal gate (basic physical models, charge trapping, etc.), while others cover characterization of the thin films and interfaces which comprise the gate stack. Topics include: advanced Si-based gate stacks; and alternate channel materials. The MRS Symposium Proceeding series is an internationally recognised reference suitable for researchers and practitioners. This item is printed on demand. Shipping may be from multiple locations in the US or from the UK, depending on stock availability.
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Cmos Gate-Stack Scaling Materials, Interfaces and Reliability Implications
Rachmady Willy Butterbaugh Jeffery W. Harris H. Rusty Taylor Bill Demkov Alexander A.
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