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EUR 148,18
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Compound Semiconductors Strained Layers and Devices (Electronic Materials Series, 7)
Anbieter: Lucky's Textbooks, Dallas, TX, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 157,06
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Compound Semiconductors Strained Layers and Devices (Electronic Materials Series, 7)
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 164,50
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Silicon-Germanium Strained Layers and Heterostructures: Semi-Conductor and Semi-Metals Series: 74 (Semiconductors and Semimetals): Volume 74 signed and inscribed by Suresh Jain
Anbieter: The Spoken Word, Oxfordshire, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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EUR 165,41
Währung umrechnenEUR 32,11 für den Versand von Vereinigtes Königreich nach USAAnzahl: 1 verfügbar
In den WarenkorbHardcover. Zustand: Near Fine. 2nd Edition. Published by Academic Press in 2003, here is t7he extremely scarce 2nd edition hardback printing of Suresh Jain and M Willander's Silicon-Germanium Strained Layers and Heterostructures (Semiconductors and Semimetals Volume 74) signed and inscribed to previous owner Doctor Marshall Stoneham by author Suresh Jain in black ink to the front free end paper. Faux red leather binding, gilt spine and front cover lettering, the book is in near fine condition and is rare in this edition. Signed by Author(s).
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Conducting Organic Materials and Devices
Anbieter: Majestic Books, Hounslow, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 191,38
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EUR 201,15
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Zustand: Gut. Zustand: Gut | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher.
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Conducting Organic Materials and Devices (Semiconductors and Semimetals): Volume 81
Verlag: Elsevier Science 2007-08-01, 2007
ISBN 10: 0127521909 ISBN 13: 9780127521909
Sprache: Englisch
Anbieter: Chiron Media, Wallingford, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 4 von 5 Sternen
EUR 197,82
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Conducting Organic Materials and Devices
Anbieter: GreatBookPrices, Columbia, MD, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 219,86
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Conducting Organic Materials and Devices
Anbieter: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 215,54
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Compound Semiconductors Strained Layers and Devices
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 168,73
Währung umrechnenEUR 63,50 für den Versand von Deutschland nach USAAnzahl: 1 verfügbar
In den WarenkorbBuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - During the last 25 years (after the growth of the first pseudomorphic GeSi strained layers on Si by Erich Kasper in Germany) we have seen a steady accu mulation of new materials and devices with enhanced performance made pos sible by strain. 1989-1999 have been very good years for the strained-Iayer devices. Several breakthroughs were made in the growth and doping technology of strained layers. New devices were fabricated as a results of these break throughs. Before the advent of strain layer epitaxy short wavelength (violet to green) and mid-IR (2 to 5 f. Lm) regions of the spectrum were not accessi ble to the photonic devices. Short wavelength Light Emitting Diodes (LEDs) and Laser Diodes (LDs) have now been developed using III-Nitride and II-VI strained layers. Auger recombination increases rapidly as the bandgap narrows and temperature increases. Therefore it was difficult to develop mid-IR (2 to 5 f. Lm range) lasers. The effect of strain in modifying the band-structure and suppressing the Auger recombination has been most spectacular. It is due to the strain mediated band-structure engineering that mid-IR lasers with good per formance have been fabricated in several laboratories around the world. Many devices based on strained layers have reached the market place. This book de scribes recent work on the growth, characterization and properties o(compound semiconductors strained layers and devices fabricated using them.
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Conducting Organic Materials and Devices
Anbieter: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 221,90
Währung umrechnenEUR 17,21 für den Versand von Vereinigtes Königreich nach USAAnzahl: Mehr als 20 verfügbar
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Conducting Organic Materials and Devices (Volume 81) (Semiconductors and Semimetals, Volume 81)
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 239,78
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Compound Semiconductors Strained Layers and Devices (Electronic Materials Series)
Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 229,78
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In den WarenkorbPaperback. Zustand: Brand New. 349 pages. 9.30x6.20x0.80 inches. In Stock.
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Conducting Organic Materials and Devices
Anbieter: GreatBookPrices, Columbia, MD, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 263,33
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In den WarenkorbZustand: As New. Unread book in perfect condition.
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Conducting Organic Materials and Devices
Anbieter: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 263,08
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CONDUCTING ORGANIC MATERIALS &
Verlag: Academic Press|Elsevier Science, 2007
ISBN 10: 0127521909 ISBN 13: 9780127521909
Sprache: Englisch
EUR 257,11
Währung umrechnenEUR 48,99 für den Versand von Deutschland nach USAAnzahl: Mehr als 20 verfügbar
In den WarenkorbGebunden. Zustand: New. Conducting polymers were discovered in 1970s, in Japan. Several breakthroughs have been made in the design and fabrication technology of the organic devices. This book describes the advances in these organic materials and devices.Conducting polymers wer.
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EUR 136,16
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In den WarenkorbZustand: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Preface. 1. Introduction. 2. Characterization and growth. 3. Strain and critical thickness. 4. Strain relaxation and defects. 5. Band structure and optical properties. 6. Electrical and magnetic properties. 7. Strained layer optoelectronic devices. 8. T.
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EUR 136,16
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In den WarenkorbGebunden. Zustand: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Preface. 1. Introduction. 2. Characterization and growth. 3. Strain and critical thickness. 4. Strain relaxation and defects. 5. Band structure and optical properties. 6. Electrical and magnetic properties. 7. Strained layer optoelectronic devices. 8. T.
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Compound Semiconductors Strained Layers and Devices
Verlag: Springer US, Springer New York Mär 2000, 2000
ISBN 10: 0792377699 ISBN 13: 9780792377696
Sprache: Englisch
Anbieter: buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 160,49
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In den WarenkorbBuch. Zustand: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -During the last 25 years (after the growth of the first pseudomorphic GeSi strained layers on Si by Erich Kasper in Germany) we have seen a steady accu mulation of new materials and devices with enhanced performance made pos sible by strain. 1989-1999 have been very good years for the strained-Iayer devices. Several breakthroughs were made in the growth and doping technology of strained layers. New devices were fabricated as a results of these break throughs. Before the advent of strain layer epitaxy short wavelength (violet to green) and mid-IR (2 to 5 f. Lm) regions of the spectrum were not accessi ble to the photonic devices. Short wavelength Light Emitting Diodes (LEDs) and Laser Diodes (LDs) have now been developed using III-Nitride and II-VI strained layers. Auger recombination increases rapidly as the bandgap narrows and temperature increases. Therefore it was difficult to develop mid-IR (2 to 5 f. Lm range) lasers. The effect of strain in modifying the band-structure and suppressing the Auger recombination has been most spectacular. It is due to the strain mediated band-structure engineering that mid-IR lasers with good per formance have been fabricated in several laboratories around the world. Many devices based on strained layers have reached the market place. This book de scribes recent work on the growth, characterization and properties o(compound semiconductors strained layers and devices fabricated using them.Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg 356 pp. Englisch.
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Conducting Organic Materials and Devices
Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 221,67
Währung umrechnenEUR 28,68 für den Versand von Vereinigtes Königreich nach USAAnzahl: 2 verfügbar
In den WarenkorbHardcover. Zustand: Brand New. 1st edition. 198 pages. 10.00x6.75x0.75 inches. In Stock. This item is printed on demand.
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Compound Semiconductors Strained Layers and Devices
Anbieter: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 223,63
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In den WarenkorbBuch. Zustand: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -During the last 25 years (after the growth of the first pseudomorphic GeSi strained layers on Si by Erich Kasper in Germany) we have seen a steady accu mulation of new materials and devices with enhanced performance made pos sible by strain. 1989-1999 have been very good years for the strained-Iayer devices. Several breakthroughs were made in the growth and doping technology of strained layers. New devices were fabricated as a results of these break throughs. Before the advent of strain layer epitaxy short wavelength (violet to green) and mid-IR (2 to 5 f. Lm) regions of the spectrum were not accessi ble to the photonic devices. Short wavelength Light Emitting Diodes (LEDs) and Laser Diodes (LDs) have now been developed using III-Nitride and II-VI strained layers. Auger recombination increases rapidly as the bandgap narrows and temperature increases. Therefore it was difficult to develop mid-IR (2 to 5 f. Lm range) lasers. The effect of strain in modifying the band-structure and suppressing the Auger recombination has been most spectacular. It is due to the strain mediated band-structure engineering that mid-IR lasers with good per formance have been fabricated in several laboratories around the world. Many devices based on strained layers have reached the market place. This book de scribes recent work on the growth, characterization and properties o(compound semiconductors strained layers and devices fabricated using them. 356 pp. Englisch.
