Gesamtpreis (1 Artikel Artikel):
Versandziel:
9780323998710 - GaN Transistor Modeling for RF and Power Electronics: Using The ASM-HEMT Model (Woodhead Publishing Series in Electronic and Optical Materials) von Chauhan (11 Ergebnisse)
Direkt zu den wichtigsten Suchergebnissen
Suchfilter
Produktart
- Alle Product Types
- Bücher (11)
- Magazine & Zeitschriften (Keine weiteren Ergebnisse entsprechen dieser Verfeinerung)
- Comics (Keine weiteren Ergebnisse entsprechen dieser Verfeinerung)
- Noten (Keine weiteren Ergebnisse entsprechen dieser Verfeinerung)
- Kunst, Grafik & Poster (Keine weiteren Ergebnisse entsprechen dieser Verfeinerung)
- Fotografien (Keine weiteren Ergebnisse entsprechen dieser Verfeinerung)
- Karten (Keine weiteren Ergebnisse entsprechen dieser Verfeinerung)
- Manuskripte & Papierantiquitäten (Keine weiteren Ergebnisse entsprechen dieser Verfeinerung)
Zustand Mehr dazu
- Neu (9)
- Wie Neu, Sehr Gut oder Gut Bis Sehr Gut (2)
- Gut oder Befriedigend (Keine weiteren Ergebnisse entsprechen dieser Verfeinerung)
- Ausreichend oder Schlecht (Keine weiteren Ergebnisse entsprechen dieser Verfeinerung)
- Wie beschrieben (Keine weiteren Ergebnisse entsprechen dieser Verfeinerung)
Einband
- alle Einbände
- Hardcover (Keine weiteren Ergebnisse entsprechen dieser Verfeinerung)
- Softcover (10)
Weitere Eigenschaften
- Erstausgabe (Keine weiteren Ergebnisse entsprechen dieser Verfeinerung)
- Signiert (Keine weiteren Ergebnisse entsprechen dieser Verfeinerung)
- Schutzumschlag (Keine weiteren Ergebnisse entsprechen dieser Verfeinerung)
- Angebotsfoto (6)
- Keine Print-on-Demand Angebote (9)
Sprache (2)
Preis
- Beliebiger Preis
- Weniger als EUR 20 (Keine weiteren Ergebnisse entsprechen dieser Verfeinerung)
- EUR 20 bis EUR 45 (Keine weiteren Ergebnisse entsprechen dieser Verfeinerung)
- Mehr als EUR 45
Gratisversand
- Kostenloser Versand nach USA (Keine weiteren Ergebnisse entsprechen dieser Verfeinerung)
Land des Verkäufers
Verkäuferbewertung
-
Gan Transistor Modeling for Rf and Power Electronics : Using the Asm-hemt Model
Anbieter: GreatBookPrices, Columbia, MD, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 184,91
EUR 2,29 Versand
Versand innerhalb von USAAnzahl: Mehr als 20 verfügbar
In den WarenkorbZustand: New.
-
GaN Transistor Modeling for RF and Power Electronics: Using The ASM-HEMT Model (Woodhead Publishing Series in Electronic and Optical Materials)
Anbieter: Majestic Books, Hounslow, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 4 von 5 Sternen
EUR 190,11
EUR 7,45 Versand
Versand von Vereinigtes Königreich nach USAAnzahl: 3 verfügbar
In den WarenkorbZustand: New.
-
Gan Transistor Modeling for Rf and Power Electronics : Using the Asm-hemt Model
Anbieter: GreatBookPrices, Columbia, MD, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 196,30
EUR 2,29 Versand
Versand innerhalb von USAAnzahl: Mehr als 20 verfügbar
In den WarenkorbZustand: As New. Unread book in perfect condition.
-
-
GaN Transistor Modeling for RF and Power Electronics: Using The ASM-HEMT Model (Woodhead Publishing Series in Electronic and Optical Materials)
Anbieter: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Deutschland
Verkäuferbewertung 4 von 5 Sternen
Zustand: New.
-
Gan Transistor Modeling for Rf and Power Electronics : Using the Asm-hemt Model
Anbieter: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 232,04
EUR 17,19 Versand
Versand von Vereinigtes Königreich nach USAAnzahl: Mehr als 20 verfügbar
In den WarenkorbZustand: New.
-
Gan Transistor Modeling for Rf and Power Electronics : Using the Asm-hemt Model
Anbieter: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 255,82
EUR 17,19 Versand
Versand von Vereinigtes Königreich nach USAAnzahl: Mehr als 20 verfügbar
In den WarenkorbZustand: As New. Unread book in perfect condition.
-
EUR 237,47
EUR 48,99 Versand
Versand von Deutschland nach USAAnzahl: Mehr als 20 verfügbar
In den WarenkorbZustand: New. Provides an overview of the operation and physics of GaN-based transistorsFeatures in-depth description (by the developers of the model) of all aspects of the industry standard ASM-HEMT model for GaN circuitsDetails parameter extra.
-
GaN Transistor Modeling for RF and Power Electronics : Using The ASM-HEMT Model
Sprache: Englisch
Verlag: Elsevier Science Publishing Co Inc Mai 2024, 2024
ISBN 10: 0323998712 ISBN 13: 9780323998710
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Taschenbuch. Zustand: Neu. Neuware - GaN Transistor Modeling for RF and Power Electronics: Using The ASM-GaN-HEMT Model covers all aspects of characterization and modeling of GaN transistors for both RF and Power electronics applications. Chapters cover an in-depth analysis of the industry standard compact model ASM-HEMT for GaN transistors. The book details the core surface-potential calculations and a variety of real device effects, including trapping, self-heating, field plate effects, and more to replicate realistic device behavior. The authors also include chapters on step-by-step parameter extraction procedures for the ASM-HEMT model and benchmark test results.
-
Gan Transistor Modeling for Rf and Power Electronics: Using the Asm-hemt Model
Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 188,39
EUR 14,33 Versand
Versand von Vereinigtes Königreich nach USAAnzahl: 2 verfügbar
In den WarenkorbPaperback. Zustand: Brand New. 425 pages. 9.00x6.00x0.43 inches. In Stock. This item is printed on demand.
-
GAN TRANS MOD FOR RF&POW ELECT
Verlag: Woodhead Publishing
ISBN 10: 0323998712 ISBN 13: 9780323998710
Anbieter: Brook Bookstore On Demand, Napoli, NA, Italien
Verkäuferbewertung 4 von 5 Sternen
EUR 168,43
EUR 8,00 Versand
Versand von Italien nach USAAnzahl: Mehr als 20 verfügbar
In den WarenkorbZustand: new. Questo è un articolo print on demand.
