ISBN: 9783659891021 - short channel mosfets: a modeling approach (9 Ergebnisse)
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Short Channel MOSFETs | A modeling approach | Swapnadip De (u. a.) | Taschenbuch | 80 S. | Englisch | 2016 | LAP LAMBERT Academic Publishing | EAN 9783659891021 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 49078 Osnabrück, mail[at]preigu[dot]de | Anbieter: preigu. …
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Taschenbuch. Zustand: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -In this book an analytical sub threshold surface potential, threshold voltage and drain current model for linear and Gaussian profile based Double Halo Dual Material Gate MOSFET (DHDMG) is proposed.The results thus obtained are compared with a 2D device simulator DESSIS. The model results are found to match well with those from DESSIS. The idea is also extended to find the characteristic parameters for non-conventional MOSFETs. 80 pp. Englisch.…
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Taschenbuch. Zustand: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - In this book an analytical sub threshold surface potential, threshold voltage and drain current model for linear and Gaussian profile based Double Halo Dual Material Gate MOSFET (DHDMG) is proposed.The results thus obtained are compared with a 2D device simulator DESSIS. The model results are found to match well with those from DESSIS. The idea is also extended to find the characteristic parameters for non-conventional MOSFETs.…
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Zustand: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Autor/Autorin: De SwapnadipDr. Swapnadip De is working as Assistant Professor at Meghnad Saha Institute of Technology since December 2002. He is a Senior Member of IEEE and the Vice Chairman of IEEE EDS Kolkata Chapter. He did his M.Tech and PhD fr.…
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Taschenbuch. Zustand: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -In this book an analytical sub threshold surface potential, threshold voltage and drain current model for linear and Gaussian profile based Double Halo Dual Material Gate MOSFET (DHDMG) is proposed.The results thus obtained are compared with a 2D device simulator DESSIS. The model results are found to match well with those from DESSIS. The idea is also extended to find the characteristic parameters for non-conventional MOSFETs.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 80 pp. Englisch.…
