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3d Integration of Resistive Switching Memory
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3d Integration of Resistive Switching Memory
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3D Integration of Resistive Switching Memory
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3D Integration of Resistive Switching Memory
Sprache: Englisch
Verlag: Taylor and Francis Ltd, GB, 2024
ISBN 10: 1032489502 ISBN 13: 9781032489506
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In den WarenkorbPaperback. Zustand: New. This book offers a thorough exploration of the three-dimensional integration of resistive memory in all aspects, from the materials, devices, array-level issues, and integration structures to its applications. Resistive random-access memory (RRAM) is one of the most promising candidates for next-generation nonvolatile memory applications owing to its superior characteristics including simple structure, high switching speed, low power consumption, and compatibility with standard complementary metal oxide semiconductor (CMOS) process. To achieve large-scale, high-density integration of RRAM, the 3D cross array is undoubtedly the ideal choice. This book introduces the 3D integration technology of RRAM, and breaks it down into five parts:1: Associative Problems in Crossbar array and 3D architectures;2: Selector Devices and Self-Selective Cells; 3: Integration of 3D RRAM; 4: Reliability Issues in 3D RRAM; 5: Applications of 3D RRAM beyond Storage.The book aspires to provide a relevant reference for students, researchers, engineers, and professionals working with resistive random-access memory or those interested in 3D integration technology in general.
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Anbieter: PBShop.store UK, Fairford, GLOS, Vereinigtes Königreich
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3D Integration of Resistive Switching Memory (Frontiers in Semiconductor Technology)
Anbieter: Majestic Books, Hounslow, Vereinigtes Königreich
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3D Integration of Resistive Switching Memory (Frontiers in Semiconductor Technology)
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
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3d Integration of Resistive Switching Memory
Anbieter: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Vereinigtes Königreich
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3D Integration of Resistive Switching Memory
Anbieter: THE SAINT BOOKSTORE, Southport, Vereinigtes Königreich
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3D Integration of Resistive Switching Memory (Frontiers in Semiconductor Technology)
Anbieter: Chiron Media, Wallingford, Vereinigtes Königreich
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3D Integration of Resistive Switching Memory (Frontiers in Semiconductor Technology)
Anbieter: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Deutschland
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3D Integration of Resistive Switching Memory (Frontiers in Semiconductor Technology)
Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
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3d Integration of Resistive Switching Memory
Anbieter: GreatBookPrices, Columbia, MD, USA
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3D Integration of Resistive Switching Memory (Hardcover)
Sprache: Englisch
Verlag: Taylor & Francis Ltd, London, 2023
ISBN 10: 103248943X ISBN 13: 9781032489438
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Hardcover. Zustand: new. Hardcover. This book offers a thorough exploration of the three-dimensional integration of resistive memory in all aspects, from the materials, devices, array-level issues, and integration structures to its applications. Resistive random-access memory (RRAM) is one of the most promising candidates for next-generation nonvolatile memory applications owing to its superior characteristics including simple structure, high switching speed, low power consumption, and compatibility with standard complementary metal oxide semiconductor (CMOS) process. To achieve large-scale, high-density integration of RRAM, the 3D cross array is undoubtedly the ideal choice. This book introduces the 3D integration technology of RRAM, and breaks it down into five parts:1: Associative Problems in Crossbar array and 3D architectures;2: Selector Devices and Self-Selective Cells; 3: Integration of 3D RRAM; 4: Reliability Issues in 3D RRAM; 5: Applications of 3D RRAM beyond Storage.The book aspires to provide a relevant reference for students, researchers, engineers, and professionals working with resistive random-access memory or those interested in 3D integration technology in general. This book offers a thorough exploration of the three-dimensional integration of resistive memory in all aspects, from the materials, devices, array-level issues, and integration structures, to its applications. Shipping may be from multiple locations in the US or from the UK, depending on stock availability.
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3d Integration of Resistive Switching Memory
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3D Integration of Resistive Switching Memory (Frontiers in Semiconductor Technology)
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3d Integration of Resistive Switching Memory
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3d Integration of Resistive Switching Memory
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Taschenbuch. Zustand: Neu. 3D Integration of Resistive Switching Memory | Qing Luo | Taschenbuch | Einband - flex.(Paperback) | Englisch | 2024 | CRC Press | EAN 9781032489506 | Verantwortliche Person für die EU: Taylor & Francis Verlag GmbH, Kaufingerstr. 24, 80331 München, gpsr[at]taylorandfrancis[dot]com | Anbieter: preigu.
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3D Integration of Resistive Switching Memory (Frontiers in Semiconductor Technology)
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3D Integration of Resistive Switching Memory
Sprache: Englisch
Verlag: Taylor and Francis Ltd, GB, 2024
ISBN 10: 1032489502 ISBN 13: 9781032489506
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3D Integration of Resistive Switching Memory (Hardcover)
Sprache: Englisch
Verlag: Taylor & Francis Ltd, London, 2023
ISBN 10: 103248943X ISBN 13: 9781032489438
Anbieter: AussieBookSeller, Truganina, VIC, Australien
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3d Integration of Resistive Switching Memory
Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
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Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
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