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Oxide Electronics and Functional Properties of Transition Metal Oxides
Anbieter: Basi6 International, Irving, TX, USA
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Oxide Electronics and Functional Properties of Transition Metal Oxides
Anbieter: Romtrade Corp., STERLING HEIGHTS, MI, USA
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Oxide Electronics and Functional Properties of Transition Metal Oxides
Verlag: Nova Science Publishers, Incorporated, 2014
ISBN 10: 1633214990 ISBN 13: 9781633214996
Sprache: Englisch
EUR 151,60
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Oxide Electronics and Functional Properties of Transition Metal Oxides
Verlag: Nova Science Publishers, Incorporated, 2014
ISBN 10: 1633214990 ISBN 13: 9781633214996
Sprache: Englisch
Anbieter: Majestic Books, Hounslow, Vereinigtes Königreich
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Oxide Electronics and Functional Properties of Transition Metal Oxides
Verlag: Nova Science Publishers, Incorporated, 2014
ISBN 10: 1633214990 ISBN 13: 9781633214996
Sprache: Englisch
Anbieter: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Deutschland
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Oxide Electronics and Functional Properties of Transition Me
Verlag: Nova Science Publishers Inc, 2014
ISBN 10: 1633214990 ISBN 13: 9781633214996
Sprache: Englisch
EUR 167,60
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In den WarenkorbZustand: New. KlappentextrnrnMOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) for a long time have been the workhorse of the modern electronics industry. For the purpose of a permanent integration enhancement, the size of a MOSFET has been decreas.
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Oxide Electronics and Functional Properties of Transition Metal Oxides
Verlag: Nova Science Publishers Inc, 2014
ISBN 10: 1633214990 ISBN 13: 9781633214996
Sprache: Englisch
Anbieter: Kennys Bookshop and Art Galleries Ltd., Galway, GY, Irland
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Oxide Electronics and Functional Properties of Transition Metal Oxides
Anbieter: GreatBookPrices, Columbia, MD, USA
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Oxide Electronics and Functional Properties of Transition Metal Oxides
Anbieter: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Vereinigtes Königreich
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Oxide Electronics and Functional Properties of Transition Metal Oxides
Verlag: Nova Science Publishers Inc, US, 2014
ISBN 10: 1633214990 ISBN 13: 9781633214996
Sprache: Englisch
Anbieter: Rarewaves.com UK, London, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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Oxide Electronics and Functional Properties of Transition Metal Oxides
Verlag: Nova Science Publishers Inc, 2014
ISBN 10: 1633214990 ISBN 13: 9781633214996
Sprache: Englisch
Anbieter: PBShop.store UK, Fairford, GLOS, Vereinigtes Königreich
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Oxide Electronics and Functional Properties of Transition Metal Oxides
Verlag: Nova Science Publishers Inc Sep 2014, 2014
ISBN 10: 1633214990 ISBN 13: 9781633214996
Sprache: Englisch
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
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EUR 215,55
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In den WarenkorbBuch. Zustand: Neu. Neuware - MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) for a long time have been the workhorse of the modern electronics industry. For the purpose of a permanent integration enhancement, the size of a MOSFET has been decreasing exponentially for decades in compliance with Moore's Law, but nowadays, owing to the intrinsic restrictions, the further scaling of MOSFET devices either encounters fundamental (e.g. quantum-mechanical) limits or demands for more and more sophisticated and expensive engineering solutions. Alternative approaches and device concepts are being currently designed both in order to sustain an increase of the integration degree, and to improve the functionality and performance of electronic devices. Oxide electronics is one such promising approach which could enable and accelerate the development of information and computing technology. The behavior of d-electrons in transition metal oxides (TMOs) is responsible for the unique properties of these materials, causing strong electron-electron correlations, which play an important role in the mechanism of metal-insulator transition. The Mott transition in vanadium dioxide is specifically the effect that researchers consider as one of the most promising phenomena for oxide electronics, particularly in its special direction known as a Mott-transition field-effect transistor (MTFET).
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Oxide Electronics and Functional Properties of Transition Metal Oxides
Verlag: Nova Science Publishers Inc, US, 2014
ISBN 10: 1633214990 ISBN 13: 9781633214996
Sprache: Englisch
Anbieter: Rarewaves.com USA, London, LONDO, Vereinigtes Königreich
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Oxide Electronics and Functional Properties of Transition Metal Oxides
Anbieter: GreatBookPrices, Columbia, MD, USA
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Oxide Electronics and Functional Properties of Transition Metal Oxides
Anbieter: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Vereinigtes Königreich
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Oxide Electronics and Functional Properties of Transition Metal Oxides
Verlag: Nova Science Publishers Inc, 2014
ISBN 10: 1633214990 ISBN 13: 9781633214996
Sprache: Englisch
Anbieter: Kennys Bookstore, Olney, MD, USA
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In den WarenkorbZustand: New. Editor(s): Pergament, Alexander. Num Pages: 324 pages. BIC Classification: PN. Category: (P) Professional & Vocational. Dimension: 259 x 182 x 20. Weight in Grams: 650. . 2014. Hardcover. . . . . Books ship from the US and Ireland.
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Oxide Electronics and Functional Properties of Transition Metal Oxides (Hardcover)
Verlag: Nova Science Publishers Inc, New York, 2014
ISBN 10: 1633214990 ISBN 13: 9781633214996
Sprache: Englisch
Anbieter: Grand Eagle Retail, Mason, OH, USA
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In den WarenkorbHardcover. Zustand: new. Hardcover. MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) for a long time have been the workhorse of the modern electronics industry. For the purpose of a permanent integration enhancement, the size of a MOSFET has been decreasing exponentially for decades in compliance with Moore's Law, but nowadays, owing to the intrinsic restrictions, the further scaling of MOSFET devices either encounters fundamental (e.g. quantum-mechanical) limits or demands for more and more sophisticated and expensive engineering solutions. Alternative approaches and device concepts are being currently designed both in order to sustain an increase of the integration degree, and to improve the functionality and performance of electronic devices. Oxide electronics is one such promising approach which could enable and accelerate the development of information and computing technology. The behavior of d-electrons in transition metal oxides (TMOs) is responsible for the unique properties of these materials, causing strong electron-electron correlations, which play an important role in the mechanism of metal-insulator transition.The Mott transition in vanadium dioxide is specifically the effect that researchers consider as one of the most promising phenomena for oxide electronics, particularly in its special direction known as a Mott-transition field-effect transistor (MTFET). Shipping may be from multiple locations in the US or from the UK, depending on stock availability.
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Oxide Electronics and Functional Properties of Transition Metal Oxides (Hardcover)
Verlag: Nova Science Publishers Inc, New York, 2014
ISBN 10: 1633214990 ISBN 13: 9781633214996
Sprache: Englisch
Anbieter: AussieBookSeller, Truganina, VIC, Australien
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In den WarenkorbHardcover. Zustand: new. Hardcover. MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) for a long time have been the workhorse of the modern electronics industry. For the purpose of a permanent integration enhancement, the size of a MOSFET has been decreasing exponentially for decades in compliance with Moore's Law, but nowadays, owing to the intrinsic restrictions, the further scaling of MOSFET devices either encounters fundamental (e.g. quantum-mechanical) limits or demands for more and more sophisticated and expensive engineering solutions. Alternative approaches and device concepts are being currently designed both in order to sustain an increase of the integration degree, and to improve the functionality and performance of electronic devices. Oxide electronics is one such promising approach which could enable and accelerate the development of information and computing technology. The behavior of d-electrons in transition metal oxides (TMOs) is responsible for the unique properties of these materials, causing strong electron-electron correlations, which play an important role in the mechanism of metal-insulator transition.The Mott transition in vanadium dioxide is specifically the effect that researchers consider as one of the most promising phenomena for oxide electronics, particularly in its special direction known as a Mott-transition field-effect transistor (MTFET). Shipping may be from our Sydney, NSW warehouse or from our UK or US warehouse, depending on stock availability.
