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Oxide Electronics and Functional Properties of Transition Metal Oxides
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Oxide Electronics and Functional Properties of Transition Metal Oxides
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Oxide Electronics and Functional Properties of Transition Metal Oxides
Sprache: Englisch
Verlag: Nova Science Publishers, Incorporated, 2014
ISBN 10: 1633214990 ISBN 13: 9781633214996
Zustand: Used. pp. 324.
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Oxide Electronics and Functional Properties of Transition Metal Oxides
Sprache: Englisch
Verlag: Nova Science Publishers, Incorporated, 2014
ISBN 10: 1633214990 ISBN 13: 9781633214996
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Oxide Electronics and Functional Properties of Transition Metal Oxides
Sprache: Englisch
Verlag: Nova Science Publishers, Incorporated, 2014
ISBN 10: 1633214990 ISBN 13: 9781633214996
Anbieter: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Deutschland
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Oxide Electronics and Functional Properties of Transition Metal Oxides
Sprache: Englisch
Verlag: Nova Science Publishers, Inc, 2014
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Oxide Electronics and Functional Properties of Transition Metal Oxides
Sprache: Englisch
Verlag: Nova Science Publishers Inc, US, 2014
ISBN 10: 1633214990 ISBN 13: 9781633214996
Anbieter: Rarewaves.com USA, London, LONDO, Vereinigtes Königreich
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Oxide Electronics and Functional Properties of Transition Metal Oxides
Sprache: Englisch
Verlag: Nova Science Publishers Inc, 2014
ISBN 10: 1633214990 ISBN 13: 9781633214996
Anbieter: Kennys Bookshop and Art Galleries Ltd., Galway, GY, Irland
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Zustand: New. Editor(s): Pergament, Alexander. Num Pages: 324 pages. BIC Classification: PN. Category: (P) Professional & Vocational. Dimension: 259 x 182 x 20. Weight in Grams: 650. . 2014. Hardcover. . . . .
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Oxide Electronics and Functional Properties of Transition Metal Oxides
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Oxide Electronics and Functional Properties of Transition Me
Sprache: Englisch
Verlag: Nova Science Publishers Inc, 2014
ISBN 10: 1633214990 ISBN 13: 9781633214996
Gebunden. Zustand: New. KlappentextrnrnMOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) for a long time have been the workhorse of the modern electronics industry. For the purpose of a permanent integration enhancement, the size of a MOSFET has been decreas.
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Oxide Electronics and Functional Properties of Transition Metal Oxides
Sprache: Englisch
Verlag: Nova Science Publishers Inc, 2014
ISBN 10: 1633214990 ISBN 13: 9781633214996
Anbieter: Kennys Bookstore, Olney, MD, USA
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Zustand: New. Editor(s): Pergament, Alexander. Num Pages: 324 pages. BIC Classification: PN. Category: (P) Professional & Vocational. Dimension: 259 x 182 x 20. Weight in Grams: 650. . 2014. Hardcover. . . . . Books ship from the US and Ireland.
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Oxide Electronics and Functional Properties of Transition Metal Oxides
Sprache: Englisch
Verlag: Nova Science Publishers, Inc (US), 2014
ISBN 10: 1633214990 ISBN 13: 9781633214996
Anbieter: Gazelle Books, Lancaster, LANCA, Vereinigtes Königreich
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Oxide Electronics and Functional Properties of Transition Metal Oxides
Sprache: Englisch
Verlag: Nova Science Publishers Inc, US, 2014
ISBN 10: 1633214990 ISBN 13: 9781633214996
Anbieter: Rarewaves.com UK, London, Vereinigtes Königreich
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Oxide Electronics and Functional Properties of Transition Metal Oxides
Sprache: Englisch
Verlag: Nova Science Publishers Inc Sep 2014, 2014
ISBN 10: 1633214990 ISBN 13: 9781633214996
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
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Buch. Zustand: Neu. Neuware - MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) for a long time have been the workhorse of the modern electronics industry. For the purpose of a permanent integration enhancement, the size of a MOSFET has been decreasing exponentially for decades in compliance with Moore's Law, but nowadays, owing to the intrinsic restrictions, the further scaling of MOSFET devices either encounters fundamental (e.g. quantum-mechanical) limits or demands for more and more sophisticated and expensive engineering solutions. Alternative approaches and device concepts are being currently designed both in order to sustain an increase of the integration degree, and to improve the functionality and performance of electronic devices. Oxide electronics is one such promising approach which could enable and accelerate the development of information and computing technology. The behavior of d-electrons in transition metal oxides (TMOs) is responsible for the unique properties of these materials, causing strong electron-electron correlations, which play an important role in the mechanism of metal-insulator transition. The Mott transition in vanadium dioxide is specifically the effect that researchers consider as one of the most promising phenomena for oxide electronics, particularly in its special direction known as a Mott-transition field-effect transistor (MTFET).
