Sige strained layer epitaxy silicon (14 Ergebnisse)
Silicon Heterostructure Handbook: Materials, Fabrication, Devices, Circuits and Applications of SiGe and Si Strained-Layer Epitaxy
Cressler, John D. [Editor]; Monfray, Stephane [Contributor]; Freeman, Greg [Contributor]; Friedman, Daniel [Contributor]; Paul, Douglas J. [Contributor]; Tsujino, Soichiro [Contributor]; Cai, J. [Contributor]; Chantre, Alain [Contributor]; Colace, Lorenzo [Contributor]; de Vreede, Leo N. C. [Contributor]; El-Kareh, B. [Contributor]; Dutartre, Didier [Contributor]; Larson, Lawrence E. [Contributor]; Maiti, C.K [Contributor]; Meister, T. [Contributor]; Ni, W. [Contributor]; Oehme, Michael [Contributor]; Peaker, A. [Contributor]; Sheridan, David [Contributor]; Tillack, Bernd [Contributor]; Laskar, Joy [Contributor]; Skotnicki, Thomas [Contributor]; Borel, Stephan [Contributor]; Luy, Johann-Friedrih [Contributor]; Rim, Ken [Contributor]; Meyerson, Bernard [Contributor]; Greenberg, David R. [Contributor]; Schroter, Michael [Contributor]; Joseph, Alvin [Contributor]; Dunn, James S. [Contributor]; Fitzgerald, Eugene [Contributor]; Meghelli, Mounir [Contributor]; Grutzmacher, Detlev [Contribut
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Cressler, J: SiGe and Si Strained-Layer Epitaxy for Silicon
John D. Cressler (Georgia Institute of Technology, Atlanta, USA)
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Buch. Zustand: Neu. Neuware - Focuses on the materials science aspects of silicon heterostructure. This book defines the various advances in the Si-SiGe strained-layer epitaxy for device applications. It covers modern SiGe epitaxial growth techniques, EPI defects and dopant diffusion in thin films, stability constraints, and electronic properties of SiGe and Si-C alloys. …
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