AlGaN/GaN-HEMT power amplifiers with optimized power-added efficiency for X-band applications

Sprache: Englisch

Verlag: Karlsruher Institut Für Technologie Jun 2011, 2011

3866446152 / 9783866446151

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This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -This work has arisen out of the strong demand for a superior power-added efficiency (PAE) of AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) high-power amplifiers (HPAs) that are part of any advanced wireless multifunctional RF-system with limited prime energy. Different concepts and approaches on device and design level for PAE improvements are analyzed, e.g. structural and layout changes of the GaN transistor and advanced circuit design techniques for PAE improvements of GaN HEMT HPAs. 262 pp. Englisch.

Bestandsnummer des Verkäufers 9783866446151

Titel
AlGaN/GaN-HEMT power amplifiers with optimized power-added efficiency for X-band applications
Autor
Jutta Kühn
Verlag
Karlsruher Institut Für Technologie Jun 2011
Erscheinungsjahr
2011
Zustand
Neu
Einband
Taschenbuch
Sprache
Englisch
ISBN-10
3866446152
ISBN-13
9783866446151
Artikelgewicht
384 Gramm
Abmessungen
210x148x17 mm

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