The Development in Gallium-Nitrides Semiconductors Based Technology

Sprache: Englisch

Verlag: LAP LAMBERT Academic Publishing Aug 2018, 2018

6139851661 / 9786139851669

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This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -III-nitrides semiconductors, specifically the GaN-based materials, including the binary GaN and related alloys with InN and AlN, such as the ternary AlGaN and InGaN as well as the quaternary InAlGaN have been intensively investigated in recent years because of the potential applications for optoelectronic devices operating in short wavelength spectral range and in high power and high temperature electronic devices. GaN-based materials are also ideal for the fabrication of high responsive and visible blind UV detectors because of the unique properties that encompass wide and direct band gap, high absorption coefficients, and sharp cutoff of the wavelength detection. The high breakdown voltage and high saturation velocity also enable the use of GaN-based materials for high-speed device operation and high power applications, such as power amplifiers for wireless base stations, low noise amplifiers, and high power switches. Sensing devices are another important application of the GaN-based materials, especially in harsh environments owing to the high thermal and chemical stability of these materials. 104 pp. Englisch.…

Bestandsnummer des Verkäufers 9786139851669

Titel
The Development in Gallium-Nitrides Semiconductors Based Technology
Autor
Mansour Farhan
Verlag
LAP LAMBERT Academic Publishing Aug 2018
Erscheinungsjahr
2018
Zustand
Neu
Einband
Taschenbuch
Sprache
Englisch
ISBN-10
6139851661
ISBN-13
9786139851669
Artikelgewicht
173 Gramm
Abmessungen
220x150x7 mm

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